光电组件和制造光电组件的方法技术

本发明专利技术涉及具有下列部件的光电组件（1）：至少一个被设置用于发射辐射的光电半导体芯片（2），围绕半导体芯片（2）的封装件（3），其中封装件（3）具有聚硅氧烷，和布置在封装件（3）上的至少一个用于防止有害气体（V）的阻挡层（4），其中该阻挡层（4）是等离子体聚合层。本发明专利技术还涉及制造光电组件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电组件和制造光电组件的方法本专利技术涉及光电组件。本专利技术还涉及制造光电组件的方法。光电组件通常包括具有一定透气性的封装件。因此，诸如挥发性有机化合物（所谓的VOC=挥发性有机化合物）之类的有害气体可以渗透封装件并到达光电组件的半导体芯片的表面。由这种半导体芯片发射的辐射与半导体芯片附近的局部升高的温度一起最终导致有害气体在光电组件内部的分解和沉积。因此导致亮度损失，这例如是由于在组件的光路中沉积VOC而导致的碳沉积物。这样的光电组件然后以降低的亮度和改变的光色发光。因此，在有害气体的存在下，光电组件不稳定。因此，本专利技术的目的是提供对有害气体例如VOC而言稳定的光电组件。本专利技术的另一目的是提供制造光电组件的方法，其产生对于有害气体而言稳定的组件。所述目的通过根据独立权利要求的光电组件和制造光电组件的方法来实现。本专利技术的有利的实施方案和改进方案在各自的从属权利要求中给出。在至少一个实施方案中，光电组件具有至少一个光电半导体芯片，该光电半导体芯片被设置用于发射辐射。例如，光电组件可以具有恰好一个半导体芯片。例如，半导体芯片可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有下列部件的光电组件（1）/n- 至少一个被设置用于发射辐射的光电半导体芯片（2），/n- 围绕半导体芯片（2）的封装件（3），其中封装件（3）具有聚硅氧烷，和/n- 布置在封装件（3）上的至少一个用于防止有害气体（V）的阻挡层（4），其中该阻挡层（4）是由至少一种以下通式的前体制成的等离子体聚合的硅氧烷层（4）：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180125 DE 102018101710.31.具有下列部件的光电组件（1）
-至少一个被设置用于发射辐射的光电半导体芯片（2），
-围绕半导体芯片（2）的封装件（3），其中封装件（3）具有聚硅氧烷，和
-布置在封装件（3）上的至少一个用于防止有害气体（V）的阻挡层（4），其中该阻挡层（4）是由至少一种以下通式的前体制成的等离子体聚合的硅氧烷层（4）：

或
其中
-R1至R8各自彼此独立地选自氢、烷基、烯基，且
-n选自0、1、2和3。


2.根据前一项权利要求所述的光电组件（1），其中阻挡层（4）具有10nm至20μm的层厚度，优选25nm至500nm的层厚度。


3.根据前述权利要求中任一项所述的光电组件（1），其中封装件（3）具有至少一个形成所述光电组件（1）的外表面的表面（3a），并且其中所述阻挡层（4）直接布置在所述表面（3a）上。


4.根据前一项权利要求所述的光电组件（1），其中所述表面（3a）包括所述光电组件（1）的至少一个主射束出射面（3a）。


5.根据权利要求1所述的光电组件（1），在第一替代方案中，其中n等于0，以使得所述前体具有以下通式：



其中R1至R6各自彼此独立地选自氢、甲基和乙烯基。


6.根据权利要求1所述的光电组件（1），其中所述前体选自以下材料：

、、

、
或其混合物。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电组件（1），其中所述等离子体聚合层（4）在大气压或真空中沉积。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电组件（1），其中所述等离子体聚合层（4）在氧化性气体存在下和/或在惰性气体存在下，特别是在O2和/或Ar存在下沉积。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的光电组件（1），其中所述等离子体聚合层（4）在空气的存在下沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·雷斯温克尔，K·施密特克，
申请(专利权)人：欧司朗OLED股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE