背面入射型半导体光检测元件的制造方法技术

准备具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)的半导体基板(11)。半导体基板(11)具有第一导电型的第一半导体区域(13)。半导体基板(11)在第二主面(11b)侧具有形成与第一半导体区域(13)构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域(15)的多个预定区域(PR)。纹理区域形成于第二主面(11b)中的多个预定区域(PR)中包含的面。在形成纹理区域后，多个第二半导体区域(15)形成于多个预定区域(PR)。第一主面(11a)为朝向半导体基板的光入射面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面入射型半导体光检测元件的制造方法
本专利技术涉及背面入射型半导体光检测元件的制造方法。
技术介绍
已知具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板的背面入射型半导体光检测元件(例如，参照专利文献1和2)。专利文献2中记载的背面入射型半导体光检测元件中，半导体基板具有第一导电型的第一半导体区域和第二导电型的多个第二半导体区域。半导体基板在第二主面侧具备多个第二半导体区域。各第二半导体区域与第一半导体区域构成pn结。第一主面是朝向半导体基板的光入射面。多个第二半导体区域具有纹理表面。纹理表面在形成第二半导体区域后形成。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2012/0313204号说明书专利文献2：日本特开2011-023417号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的一个方式的目的在于，提供使长波长区域的分光灵敏度特性进一步提高的背面入射型半导体光检测元件的制造方法。本专利技术的另一个方式的目的在于，提供能够可靠地使长波长区域的分光灵敏度特性进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面入射型半导体光检测元件的制造方法，其特征在于，包括：/n准备半导体基板的工序，该半导体基板具有彼此相对的第一主面和第二主面且具有第一导电型的第一半导体区域，并且在所述第二主面侧具有形成与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域的多个预定区域；/n在所述第二主面中的所述多个预定区域中包含的面形成纹理区域的工序；和/n在形成所述纹理区域后，在所述多个预定区域形成所述多个第二半导体区域的工序，/n所述第一主面为朝向所述半导体基板的光入射面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180416 JP 2018-0786551.一种背面入射型半导体光检测元件的制造方法，其特征在于，包括：
准备半导体基板的工序，该半导体基板具有彼此相对的第一主面和第二主面且具有第一导电型的第一半导体区域，并且在所述第二主面侧具有形成与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域的多个预定区域；
在所述第二主面中的所述多个预定区域中包含的面形成纹理区域的工序；和
在形成所述纹理区域后，在所述多个预定区域形成所述多个第二半导体区域的工序，
所述第一主面为朝向所述半导体基板的光入射面。


2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：
沿着所述纹理区域的表面形状形成所述第二半导体区域。


3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：
通过在所述预定区域内添加第二导电型的杂质而形成所述第二半导体区域。
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【专利技术属性】
技术研发人员：田口智也，吉田侑生，柴山胜己，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP