背面入射型半导体光检测元件制造技术

半导体基板(11)具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)。半导体基板(11)在第二主面(11b)侧具备多个第二半导体区域(15)。多个第二半导体区域(15)分别包括：具有纹理表面(TS)的第一区域(17)；和配置有凸块电极(35)的第二区域(19)。多个第二半导体区域(15)在从与半导体基板(11)正交的方向看时，沿彼此正交的第一方向和第二方向二维排列。第一区域(17)和第二区域(19)在与第一方向和第二方向交叉的方向上相邻。第一区域(17)的纹理表面(TS)在半导体基板(11)的厚度方向上位于比第二区域(19)的表面更靠近第一主面(11a)的位置。第一主面(11a)是对半导体基板的光入射面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面入射型半导体光检测元件
本专利技术涉及背面入射型半导体光检测元件。
技术介绍
已知具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板的背面入射型半导体光检测元件(例如参照专利文献1和2)。专利文献2所记载的背面入射型半导体光检测元件中，半导体基板具有第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的多个第二半导体区域。半导体基板在第二主面侧具有多个第二半导体区域。各第二半导体区域与第一半导体区域构成pn结。第一主面是对半导体基板的光入射面。多个第二半导体区域具有纹理表面。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2012/0313204号说明书专利文献2：日本特开2011-023417号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术的一个方式的目的在于提供在安装于电子部件时，也抑制暗电流的发生的背面入射型半导体光检测元件。电子部件例如包括配线基板或ASIC。解决问题的技术手段本专利技术的一个方式的背面入射型半导体光检测元件具有半导体基板和多个凸块电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：/n包括：具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板；和多个凸块电极，/n所述半导体基板具有：第一导电类型的第一半导体区域；和设置于所述第二主面侧并且与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电类型的多个第二半导体区域，/n所述多个第二半导体区域分别包括：具有纹理表面的第一区域；和配置有所述多个凸块电极中对应的凸块电极的第二区域，/n所述多个第二半导体区域在从与所述半导体基板正交的方向看时，沿着彼此正交的第一方向和第二方向二维排列，/n所述第一区域和所述第二区域在与所述第一方向和所述第二方向交叉的方向上相邻，/n所述第一区域的所述纹理表面在所述半导...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180416 JP 2018-0786491.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：
包括：具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板；和多个凸块电极，
所述半导体基板具有：第一导电类型的第一半导体区域；和设置于所述第二主面侧并且与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电类型的多个第二半导体区域，
所述多个第二半导体区域分别包括：具有纹理表面的第一区域；和配置有所述多个凸块电极中对应的凸块电极的第二区域，
所述多个第二半导体区域在从与所述半导体基板正交的方向看时，沿着彼此正交的第一方向和第二方向二维排列，
所述第一区域和所述第二区域在与所述第一方向和所述第二方向交叉的方向上相邻，
所述第一区域的所述纹理表面在所述半导体基板的厚度方向上位于比所述第二区域的所述表面更靠近所述第一主面的位置，
所述第一主面是对所述半导体基板的光入射面。


2.如权利要求1所述的背面入射型半导体光检测元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：田口智也，吉田侑生，柴山胜己，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP