背面入射型半导体光检测元件制造技术

半导体基板(11)具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)。半导体基板(11)将多个第二半导体区域(15)设置于第二主面(11b)侧。多个第二半导体区域(15)分别包括：具有纹理表面(TS)的第一区域(17)；和配置有凸块电极(35)的第二区域(19)。绝缘膜(21,23,25)具有：覆盖多个第二半导体区域(15)的表面的第一绝缘膜(23)；和覆盖垫电极(31)的周缘的第二绝缘膜(25)。垫电极(31)具有与第二区域(19)接触的第一电极区域(31a)和与第一电极区域(31a)连续的第二电极区域(31b)。第二电极区域(31b)配置于第一绝缘膜(23)中与第一区域(17)对应的区域的至少一部分。第一主面(11a)是朝向半导体基板(11)的光入射面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面入射型半导体光检测元件
本专利技术涉及背面入射型半导体光检测元件。
技术介绍
已知设置有具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板的背面入射型半导体光检测元件(例如参照专利文献1和2)。专利文献2所记载的背面入射型半导体光检测元件中，半导体基板具有第一导电型的第一半导体区域和第二导电型的多个第二半导体区域。半导体基板在第二主面侧具有多个第二半导体区域。各第二半导体区域与第一半导体区域构成pn结。第一主面是对半导体基板的光入射面。多个第二半导体区域具有纹理表面。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2012/0313204号说明书专利文献2：日本特开2011-023417号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题本专利技术的一个方式的目的在于，提供在提高长波长区域的分光灵敏度特性的基础上，提高第二半导体区域与凸块电极的电连接的可靠性和稳定性，并且抑制垫电极(padelectrode)的剥离的背面入射型半导体光检测元件。用于解决课题的技术方案本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于，包括：/n具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板；/n多个垫电极；/n配置于所述多个垫电极中对应的垫电极、并与对应的所述垫电极电连接的多个凸块电极；和/n配置于所述半导体基板的所述第二主面的绝缘膜，/n所述半导体基板具有：第一导电型的第一半导体区域；和设置于所述第二主面侧并且与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域，/n所述多个第二半导体区域分别包括：具有纹理表面的第一区域；和配置有所述多个凸块电极中对应的凸块电极的第二区域，/n所述绝缘膜具有：覆盖所述多个第二半导体区域的表面的第一绝缘膜；和覆盖所述垫电极的周缘的第二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180416 JP 2018-0786511.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于，包括：
具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板；
多个垫电极；
配置于所述多个垫电极中对应的垫电极、并与对应的所述垫电极电连接的多个凸块电极；和
配置于所述半导体基板的所述第二主面的绝缘膜，
所述半导体基板具有：第一导电型的第一半导体区域；和设置于所述第二主面侧并且与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域，
所述多个第二半导体区域分别包括：具有纹理表面的第一区域；和配置有所述多个凸块电极中对应的凸块电极的第二区域，
所述绝缘膜具有：覆盖所述多个第二半导体区域的表面的第一绝缘膜；和覆盖所述垫电极的周缘的第二绝缘膜，
所述垫电极具有：配置于所述第二区域并且与所述第二区域接触的第一电极区域；与所述第一电极区域连续并且配置于所述第一绝缘膜中的与所述第一区域对应的区域的至少一部分的第二电极区域，
所述第一主面是朝向所述半导体基板的光入射面。


2.如权利要求1所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：
所述纹理表面的凹陷的最深位置处的所述第一区域的厚度小于所述半导体基板的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：田口智也，吉田侑生，柴山胜己，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP