一种柔性微波功率晶体管及其制备方法技术

一种柔性微波功率晶体管及其制备方法。所述制备方法针对现有的制备方法中Si衬底制备的器件晶格失配大，器件性能不好的技术缺陷，在刚性SiC衬底上生长GaNHEMT层，避免了硅衬底与GaN的晶格失配，提高柔性微波功率晶体管的性能。而且，针对现有的件制备方法中存在的输出功率、功率附加效率及功率增益低等问题，通过保留部分刚性SiC衬底，并配合常温生长柔性衬底工艺，实现了高质量器件的制备。相比于传统方法，功率输出能力得到很大提升，效率和增益也大幅度增加，在0.75％应力下，器件性能基本不变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种柔性微波功率晶体管及其制备方法
本专利技术涉及微波功率器件
，特别是涉及一种柔性微波功率晶体管及其制备方法。
技术介绍
随着5G时代到来，无线传输系统的功率容量需求不断提升，为了实现体积小，成本低的发展需求，柔性微波功率器件具有很大的应用前景。基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)的高功率、高效率和高频率特性，柔性GaNHEMT正在逐渐成为研究热点。由于GaN应力特性较差，如何制备柔性GaNHEMT一直是个难题。N.Defrance等人提出一种制备方法[N.Defrance,F.Lecourt,Y.Douvry,M.Lesecq,V.Hoel,A.L.desEtangs-Levallois,Y.Cordier,A.Ebongue,andJ.C.DeJaeger,“Fabrication,characterization,andphysicalanalysisofAlGaN/GaNHEMTsonflexiblesubstrates,”inIEEETrans.ElectronDevices,vol.60,no.3,pp.1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性微波功率晶体管，其特征在于，所述柔性微波功率晶体管从下至上依次包括：柔性Parylene-C衬底、刚性SiC衬底和GaN HEMT层；/n所述刚性SiC衬底的厚度小于或等于5um。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种柔性微波功率晶体管，其特征在于，所述柔性微波功率晶体管从下至上依次包括：柔性Parylene-C衬底、刚性SiC衬底和GaNHEMT层；
所述刚性SiC衬底的厚度小于或等于5um。


2.根据权利要求1所述的柔性微波功率晶体管，其特征在于，所述GaNHEMT层从下至上依次包括：AlN成核层、GaN沟道层、AlN间隔层和AlGaN势垒层。


3.根据权利要求2所述的柔性微波功率晶体管，其特征在于，所述AlN成核层、所述GaN沟道层、所述AlN间隔层和所述AlGaN势垒层的厚度分别为：0.1um、1.8um、0.001um、0.02um。


4.根据权利要求1所述的柔性微波功率晶体管，其特征在于，所述柔性Parylene-C衬底的厚度为30um。


5.根据权利要求1所述的柔性微波功率晶体管，其特征在于，所述GaNHEMT层上还设置有栅极、源极和漏极。


6.一种柔性微波功率晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
在刚性SiC衬底的上表面制备GaNHEMT层，获得刚性微波功率晶体管；
对所述刚性SiC衬底的下表面进行减薄处理，使减薄后的刚性SiC衬底的厚度小于或等于5um，获得减薄后的刚性微波功率晶体管；
在常温条件下，在减...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐跃杭，王衍，吴韵秋，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51