III族氮化物层叠体制造技术

本发明专利技术涉及III族氮化物层叠体，提供用于在使用了在碳化硅基板上生长III族氮化物层而得到的外延基板的HEMT中抑制泄漏电流的技术。III族氮化物层叠体具有：由碳化硅构成的基板、由氮化铝构成且形成在基板上的第1层、由氮化镓构成且形成在第1层上的第2层、以及由电子亲和力小于构成第2层的氮化镓的III族氮化物构成且形成在第2层上的第3层，将第2层以均等的厚度三等分时的下层部分中的平均硅浓度低于1×10

【技术实现步骤摘要】
III族氮化物层叠体
本专利技术涉及III族氮化物层叠体。
技术介绍
在碳化硅基板上使III族氮化物层生长而得到的外延基板的开发正在推进。这样的外延基板例如作为用于制作高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体装置的材料而使用(参照专利文献1)。在使用了这样的外延基板的HEMT中，期望抑制泄漏电流。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2018-200934号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的一个目的在于，对于使用了在碳化硅基板上使III族氮化物层生长而得到的外延基板的HEMT，提供用于抑制泄漏电流的技术。用于解决问题的方案根据本专利技术的一个方式，提供一种III族氮化物层叠体，其具有：基板，其由碳化硅构成；第1层，其由氮化铝构成，且形成在前述基板上；第2层，其由氮化镓构成，且形成在前述第1层上；以及第3层，其由III族氮化物构成，且形成在前述第2层上，所述III族氮化物的电子亲和力小于构成前述第2层的氮化镓，...

【技术保护点】
1.一种III族氮化物层叠体，其具有：/n基板，其由碳化硅构成；/n第1层，其由氮化铝构成，且形成在所述基板上；/n第2层，其由氮化镓构成，且形成在所述第1层上；以及/n第3层，其由III族氮化物构成，且形成在所述第2层上，所述III族氮化物的电子亲和力小于构成所述第2层的氮化镓，/n将所述第2层以均等的厚度三等分时的下层部分中的平均硅浓度低于1×10

【技术特征摘要】
20190624 JP 2019-1163921.一种III族氮化物层叠体，其具有：
基板，其由碳化硅构成；
第1层，其由氮化铝构成，且形成在所述基板上；
第2层，其由氮化镓构成，且形成在所述第1层上；以及
第3层，其由III族氮化物构成，且形成在所述第2层上，所述III族氮化物的电子亲和力小于构成所述第2层的氮化镓，
将所述第2层以均等的厚度三等分时的下层部分中的平均硅浓度低于1×1016/cm3。


2.根据权利要求1所述的III族氮化物层叠体，其中，所述第2层的所述下层部分中的平均硅浓度低于1×1015/cm3。


3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物层叠体，其中，所述第2层的所述下层部分中的平均氧浓度低于1×1016/cm3。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物层叠体，其中，所述第2层的所述下层部分中的平均硅浓度低于所述第2层的所述下层部分中...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶野僚多，田中丈士，
申请(专利权)人：赛奥科思有限公司，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP