半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体结构，半导体结构中，异质结上依次形成有P型离子掺杂层与绝缘层，P型离子掺杂层包括激活区与非激活区，激活区位于栅极区域，激活区中的P型掺杂离子被激活，非激活区位于非栅极区域；绝缘层具有暴露激活区的开口；激活区上，和/或异质结的源极区域上，和/或异质结的漏极区域上具有N型离子重掺杂层。利用绝缘层作为激活P型掺杂离子时的掩膜层，使得P型离子掺杂层中，被绝缘层的开口暴露的区域形成激活区，覆盖绝缘层的区域形成非激活区，避免P型离子掺杂层的刻蚀，从而避免刻蚀损失。N型离子重掺杂层使得源极、漏极、栅极可直接形成欧姆接触层，避免高温退火。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
宽禁带半导体材料III族氮化物作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽带大、耐高压、耐高温、电子饱和速度和漂移速度高、容易形成高质量异质结构的优异特性，非常适合制造高温、高频、大功率电子器件。例如AlGaN/GaN异质结由于较强的自发极化和压电极化，在AlGaN/GaN界面处存在高浓度的二维电子气（2DEG），广泛应用于诸如高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)等半导体结构中。增强型器件由于其常关的特性，在电力电子领域具有非常广泛应用。增强型器件的实现方式有很多种，例如在栅极处通过设置P型半导体耗尽二维电子气。
技术实现思路
然而本申请专利技术人发现：通过栅极处设置P型半导体实现的增强型器件，该种方法需要刻蚀栅极区域以外的P型半导体，但刻蚀不可避免带来刻蚀损失。此外，栅极、源极与漏极的欧姆接触层需高温退火形成，影响半导体结构的性能。为解决上述问题，本技术一方面提供一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n自下而上分布的半导体衬底（10）、异质结（11）、P型离子掺杂层（12）以及绝缘层（13）；所述P型离子掺杂层（12）包括激活区（121）与非激活区（122），所述激活区（121）位于栅极区域，所述激活区（121）中的P型掺杂离子被激活，所述非激活区（122）位于非栅极区域；所述绝缘层（13）具有开口（13a），所述开口（13a）暴露所述激活区（121）；/n以及位于所述激活区（121）上，和/或所述异质结（11）的源极区域上，和/或所述异质结（11）的漏极区域上的N型离子重掺杂层（15）。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
自下而上分布的半导体衬底（10）、异质结（11）、P型离子掺杂层（12）以及绝缘层（13）；所述P型离子掺杂层（12）包括激活区（121）与非激活区（122），所述激活区（121）位于栅极区域，所述激活区（121）中的P型掺杂离子被激活，所述非激活区（122）位于非栅极区域；所述绝缘层（13）具有开口（13a），所述开口（13a）暴露所述激活区（121）；
以及位于所述激活区（121）上，和/或所述异质结（11）的源极区域上，和/或所述异质结（11）的漏极区域上的N型离子重掺杂层（15）。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述栅极区域的N型离子重掺杂层（15）上的栅极（14a），位于所述源极区域的N型离子重掺杂层（15）上的源极（14b），以及位于所述漏极区域的N型离子重掺杂层（15）上的漏极（14c）。


3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述N型离子重掺杂层（15）的材料为Ⅲ族氮化物材料。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述N...

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32