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本实用新型提供了一种半导体结构，半导体结构中，异质结上依次形成有P型离子掺杂层与绝缘层，P型离子掺杂层包括激活区与非激活区，激活区位于栅极区域，激活区中的P型掺杂离子被激活，非激活区位于非栅极区域；绝缘层具有暴露激活区的开口；激活区上，和/...
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