半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体结构，包括：衬底以及位于衬底上的异质结结构；异质结结构包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的栅极区，漏区上设置有量子阱结构。在异质结结构的漏区上设置量子阱结构，利用量子阱结构复合发光产生光子，该光子不但可以辐射在势垒层的表面区域，同时也可以深入异质结结构的内部，从而加快被缺陷虏获的电子的释放过程，以实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
III族氮化物半导体是继Si、GaAs等第一、第二代半导体材料之后的第三代新型半导体材料。III族氮化物半导体具有较高的饱和电子迁移速率，高击穿电压和宽禁带宽度，正因为这些特性，基于GaN的高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)器件具有广阔应用前景。现有的III族氮化物半导体HEMT器件作为高频器件或者高压大功率开关器件使用时，存在“电流崩塌”现象。即当器件工作在直流脉冲模式或者高频模式下，漏极输出电流跟不上栅极控制信号的变化，会出现漏极电流瞬时减小、动态导通电阻增大的情况，这严重影响器件的应用。这种现象归根结底是由于极化效应在带来异质结界面沟道中二维电子气(2DEG)的同时，使得异质结中势垒层上表面形成电荷密度与2DEG浓度相当的带正电荷的离化施主造成的。其原理在于，当HEMT器件工作在截止状态时，栅极偏向漏极一侧的电场强度达到最大，栅极上的电子在电场力的作用下跃迁至势垒层表面，并在其表面施主能级间向漏极的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底(10)以及位于所述衬底(10)上的异质结结构(11)；所述异质结结构(11)包括源区(12a)、漏区(12b)以及位于所述源区(12a)与所述漏区(12b)之间的栅极区(12c)，所述漏区(12b)上设置有量子阱结构(13)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底(10)以及位于所述衬底(10)上的异质结结构(11)；所述异质结结构(11)包括源区(12a)、漏区(12b)以及位于所述源区(12a)与所述漏区(12b)之间的栅极区(12c)，所述漏区(12b)上设置有量子阱结构(13)。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述量子阱结构(13)包括N型半导体层(13a)、第一P型半导体层(13b)以及位于所述N型半导体层(13a)与所述第一P型半导体层(13b)之间的量子阱层(13c)。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一P型半导体层(13b)包括远离所述量子阱层(13c)的空穴钝化层(130)。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述异质结结构(11)自下而上包括沟道层(11a)与势垒层(11b)。


5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述势垒层(11b)充当所述量子阱结构(13)中的N型半导体层。


6.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层(11a)与所述势垒层(11b)的材料组合包括：GaN/AlN、GaN/InN、GaN/InAlGaN、GaAs/AlGaAs、GaN/InAlN或InN/...

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32