【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置结构和其制造的方法
本公开涉及一种半导体装置结构，并且更具体地涉及一种具有经掺杂III-V族层的半导体装置结构。
技术介绍
包含直接带隙半导体的组件，例如包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V族化合物)的半导体组件可以在各种条件下或各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。半导体组件可以包含异质结双极性晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、调制掺杂FET(MODFET)等。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，一种半导体装置结构包含衬底、沟道层、阻挡层、经掺杂III-V族层以及栅极结构。所述沟道层安置在所述衬底上。所述阻挡层安置在所述沟道层上。所述经掺杂III-V族层安置在所述阻挡层上。所述经掺杂III-V族层包含第一部分和第二部分。所述第一部分具有第一浓度的第一元素。所述第二部分邻近所述第一部分并且具有第二浓度的所述第一元素。所述栅极结构安置在所述经掺杂III-V族层的所述第一部分上。所述第一元素的所述第一浓度...
【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，其包括：/n衬底；/n沟道层，所述沟道层安置在所述衬底上；/n阻挡层，所述阻挡层安置在所述沟道层上；/n经掺杂III-V族层，所述经掺杂III-V族层安置在所述阻挡层上，所述经掺杂III-V族层包括：/n第一部分，所述第一部分具有第一浓度的第一元素；以及/n第二部分，所述第二部分邻近所述第一部分，所述第二部分具有第二浓度的所述第一元素；以及/n栅极结构，所述栅极结构安置在所述经掺杂III-V族层的所述第一部分上，其中所述第一元素的所述第一浓度不同于所述第一元素的所述第二浓度。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置结构，其包括：
衬底；
沟道层，所述沟道层安置在所述衬底上；
阻挡层，所述阻挡层安置在所述沟道层上；
经掺杂III-V族层，所述经掺杂III-V族层安置在所述阻挡层上，所述经掺杂III-V族层包括：
第一部分，所述第一部分具有第一浓度的第一元素；以及
第二部分，所述第二部分邻近所述第一部分，所述第二部分具有第二浓度的所述第一元素；以及
栅极结构，所述栅极结构安置在所述经掺杂III-V族层的所述第一部分上，其中所述第一元素的所述第一浓度不同于所述第一元素的所述第二浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一部分的第一表面与所述第二部分的第一表面共面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一部分的第一表面的高程与所述第二部分的第一表面的高程相同。
4.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一部分的第一表面的高程大于所述第二部分的第一表面的高程。
5.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一部分的第一表面的高程小于所述第二部分的第一表面的高程。
6.根据权利要求4所述的半导体装置结构，其中所述第一部分包括与所述第一表面相对的第二表面，并且所述第二部分的所述第一表面的高程位于所述第一部分的所述第一表面的高程与所述第二表面的高程之间。
7.根据权利要求4所述的半导体装置结构，其中所述第一部分包括与所述第一表面相对的第二表面，所述第一部分的所述第二表面的高程小于所述第二部分的第二表面的高程，并且所述第二部分的所述第二表面与所述第二部分的所述第一表面相对。
8.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一元素包括氧、氮、硅、钛、金或其组合。
9.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一元素包括钛、镍、铂、钴或其组合。
10.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其进一步包括：
源极和漏极，所述源极和所述漏极安置在所述栅极结构的两个相对侧面上。
11.根据权利要求10所述的半导体装置结构，其中所述经掺杂III-V族层的所述第二部分与所述源极和所述漏极中的至少一个间隔开。
12.根据权利要求10所述的半导体装置结构，其中所述经掺杂III-V族层的所述第二部分与所述源极和所述漏极直接接触。
13.根据权利要求10所述的半导体装置结构，其中所述经掺杂III-V族层的所述第二部分安置在所述源极与所述经掺杂III-V族层的所述第一部分之间。
14.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：周以伦，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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