半导体结构和其制造方法技术

提供一种半导体结构和其制造方法所述半导体结构包含：衬底；第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上且包括元素，其中，所述电极安置在所述第一凹部和所述第二凹部中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体结构和其制造方法
本公开涉及一种半导体结构，且更具体地说，涉及一种具有在电极下方形成的纳米阵列结构的半导体结构。
技术介绍
包含直接带隙半导体的组件(例如，包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V化合物)的半导体组件)可在多种条件下或在多种环境中(例如，在不同电压和频率下)操作或工作。半导体装置可包含二极管、异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、经调制掺杂FET(MODFET)等。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上且包含元素，其中，所述电极安置在所述第一凹部和所述第二凹部中。根据本公开的一些实施例，一种制造半导体结构的方法包含：提供衬底；在所述衬底上形成氮化物半导体层；去除所述氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构(1)，其包括：/n衬底(10)；/n第一氮化物半导体层(12)，其安置在所述衬底(10)上；/n第二氮化物半导体层(13)，其安置在所述第一氮化物半导体层(12)上且具有大于所述第一氮化物半导体层(12)的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层(13)形成第一凹部(131)和第二凹部(132)；以及/n电极(14)，其安置在所述第二氮化物半导体层(13)上且包括元素；/n其中所述电极(14)安置在所述第一凹部(131)和所述第二凹部(132)中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体结构(1)，其包括：
衬底(10)；
第一氮化物半导体层(12)，其安置在所述衬底(10)上；
第二氮化物半导体层(13)，其安置在所述第一氮化物半导体层(12)上且具有大于所述第一氮化物半导体层(12)的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层(13)形成第一凹部(131)和第二凹部(132)；以及
电极(14)，其安置在所述第二氮化物半导体层(13)上且包括元素；
其中所述电极(14)安置在所述第一凹部(131)和所述第二凹部(132)中。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一凹部(131)的深度范围从大约1nm到大约30nm。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中夹层(15)安置在所述第二氮化物半导体层(13)与所述电极(14)之间。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述夹层(15)包括所述电极(14)的所述元素。


5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述电极(14)的所述元素包括钛(Ti)。


6.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述夹层(15)包括金属氮化物。


7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述金属氮化物包括氮化钛(TiN)。


8.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括所述第二氮化物半导体层(13)中的位错(111a)，其中所述位错(111a)包括所述电极(14)的所述元素。


9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一凹部(131)包括支柱形、沟槽形、圆柱形或桩柱形。


10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述电极(14)包括梳或梳状结构。


11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一凹部(131)和所述第二凹部(132)具有大体上相同的外观。


12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一凹部(131)和所述第二凹部(132)具有不同外观。


13.一种用于制造半导体结构(1)的方法，其包括：
提供衬底(10)；
在所述衬底(10)上形成氮化物半导体层(12、13)；
去除所述氮化物半导体层(12、13)的一部分以形成第一凹部(131)和第二凹部(132)；以及
用导电材料(14)填充所述第一凹部(131)和所述第二凹部(132)。


14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述填充操作之后执行的加热操作。


15.一种半导体结构(1)，其包括：
衬底(10)；
氮化物半导体层(12、13)，其安置在所述衬底(10)上；以及
电极(14)，其安置在所述氮化物半导体层(12、13)上且包括元素，所述电极(14)包括延伸到所述氮化物半导体层(12、13)中的第一突出部(141)和第二突出部(142)，其中所述第一突出部(141)具有第一侧(1411)和与所述第一侧相对的第二侧(1412)，且所述第二突出部(142)具有第一侧(1421)和与所述第一侧相对的第二侧(1422)，
其中所述氮化物半导体层(12、13)包括邻近所述第一突出部(141)的所述第一侧(1411)的第一位错(111)和邻近所述第二突出部(142)的所述第一侧(1421)的第二位错(112)，
其中所述第一位错(111)包括邻近所述第一突出部(141)的所述第一侧(1411)的第一部分(111a)和远离所述第一突出部(141)的所述第一侧(1411)的第二部分(111b)，且所述第一位错(111)的所述第一部分(111a)包括所述电极(14)的所述元素，且
其中所述第二位错(112)包括邻近所述第二突出部(142)的所述第一侧(1421)的第一部分(112a)和远离所述第二突出部(142)的所述第一侧(1421)的第二部分(112b...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝荣晖，黄敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44