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本实用新型提供了一种半导体结构，包括：衬底以及位于衬底上的异质结结构；异质结结构包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的栅极区，漏区上设置有量子阱结构。在异质结结构的漏区上设置量子阱结构，利用量子阱结构复合发光产生光子，该光子不但可以辐射在势...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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