NJFET器件制造技术

NJFET器件，涉及半导体技术，本实用新型专利技术的NJFET器件包括P衬底、隔离介质、N外延区、P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区、二氧化硅氧化层，其特征在于，还包括P阱，所述P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区和栅区嵌入P阱。本实用新型专利技术可以使现有P衬底N外延SOI互补双极工艺支持NJFET器件，使得该工艺可以同时包含PJFET和NJFET器件两种互补的JFET器件。

【技术实现步骤摘要】
NJFET器件
本技术涉及半导体技术。
技术介绍
在现有的SOI双极型工艺条件下，NJFET器件由N衬底P外延工艺制备而得，PJFET器件由P衬底N外延的SOI互补双极工艺制备而得，两种器件需要两种截然不同的工艺环境，成本较高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种在P衬底N外延的SOI互补双极工艺基础上开发NJFET器件的技术。本技术解决所述技术问题采用的技术方案是，NJFET器件，包括P衬底、隔离介质、N外延区、P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区、二氧化硅氧化层，其特征在于，还包括P阱，所述P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区嵌入P阱。本技术克服了现有技术的不足，在现有的P衬底N外延SOI互补双极工艺上开发NJFET器件，使得该工艺的应用更加灵活，能够满足集成电路设计的更特殊的需求。本技术可以使现有P衬底N外延SOI互补双极工艺支持NJFET器件，使得该工艺可以同时包含PJFET和NJFET器件两种互补的JFET器件，在电路设计中可以灵活处理应用，完成单种JFET器件不能完本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.NJFET器件，包括P衬底、隔离介质、N外延区、P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区、二氧化硅氧化层，其特征在于，还包括P阱，所述P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区和栅区嵌入P阱。/n

【技术特征摘要】
1.NJFET器件，包括P衬底、隔离介质、N外延区、P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忆，苏贵东，汪强，刘文军，陈竹江，刘欢，
申请(专利权)人：成都环宇芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51