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NJFET器件，涉及半导体技术，本实用新型的NJFET器件包括P衬底、隔离介质、N外延区、P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区、二氧化硅氧化层，其特征在于，还包括P阱，所述P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区和栅区嵌入P阱。本...
该专利属于成都环宇芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都环宇芯科技有限公司授权不得商用。

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