半导体器件制造技术

本发明专利技术构思的方面提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过包括氧化物半导体层的晶体管中的源/漏工程来提高性能和可靠性。该半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的金属氧化物层；源/漏图案，与金属氧化物层接触，并且包括从金属氧化物层的顶表面突出的部分；多个栅结构，设置在金属氧化物层上，使源/漏图案介于其间，并且每个栅结构包括栅间隔部和绝缘材料层，绝缘材料层与金属氧化物层接触，并且不沿着源/漏图案的顶表面延伸；以及设置在源/漏图案上的接触部，接触部连接到源/漏图案。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0067692的优先权，其内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及半导体器件，更具体地，涉及包括氧化物半导体层的半导体器件。
技术介绍
作为被用作晶体管半导体层的硅层，根据目的而使用非晶硅层或多晶硅层。当晶体管包括在大型显示设备中时，即使在大面积形成时也可以使用能够具有相对均匀特性的非晶硅层。另一方面，当晶体管包括在驱动电路等中时，可以使用能够表现出高场效应迁移率的多晶硅层。为了形成多晶硅层，可以对非晶硅层进行高温热处理或激光处理。近来，已经提出了使用氧化物半导体作为晶体管的沟道层。然而，在制造和/或后退火工艺期间，氢可以容易地扩散到氧化物半导体层中，结果，可能由于短沟道效应而导致晶体管性能下降。
技术实现思路
本专利技术构思的方面提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过包括氧化物半导体层的晶体管中的源/漏工程来提高性能和可靠性。本专利技术构思的方面还提供了一种半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底上的金属氧化物层；/n源/漏图案，所述源/漏图案与所述金属氧化物层接触，并且包括从所述金属氧化物层的顶表面突出的部分；/n多个栅结构，所述多个栅结构设置在所述金属氧化物层上，使所述源/漏图案介于所述多个栅结构之间，并且每个所述栅结构包括栅间隔部和绝缘材料层，所述绝缘材料层与所述金属氧化物层接触，并且不沿着所述源/漏图案的顶表面延伸；以及/n设置在所述源/漏图案上的接触部，所述接触部连接到所述源/漏图案。/n

【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00676921.一种半导体器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的金属氧化物层；
源/漏图案，所述源/漏图案与所述金属氧化物层接触，并且包括从所述金属氧化物层的顶表面突出的部分；
多个栅结构，所述多个栅结构设置在所述金属氧化物层上，使所述源/漏图案介于所述多个栅结构之间，并且每个所述栅结构包括栅间隔部和绝缘材料层，所述绝缘材料层与所述金属氧化物层接触，并且不沿着所述源/漏图案的顶表面延伸；以及
设置在所述源/漏图案上的接触部，所述接触部连接到所述源/漏图案。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括沿着栅结构的侧壁延伸的侧壁部分和沿着所述衬底的顶表面延伸的底部部分。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括下部源/漏图案和所述下部源/漏图案上的上部源/漏图案，以及
所述下部源/漏图案和所述上部源/漏图案具有彼此不同的材料和彼此不同的形状中的至少一项。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属氧化物层包括在所述栅结构中的两个相邻的栅结构之间形成的源/漏凹槽，并且
所述源/漏图案的一部分填充所述源/漏凹槽。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括硅、硅锗、碳化硅、锗、氧化铟锡、氧化铟锌和InGaSiO中的至少一项。


6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括掺杂剂，并且
所述掺杂剂包括磷、砷、锑和硼中的至少一项。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘材料层包括依次堆叠在所述金属氧化物层上的第一顺电材料层和铁电材料层。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：形成在所述源/漏图案上的源/漏图案衬层，所述源/漏图案衬层沿着所述栅间隔部中的相邻的栅间隔部延伸并且设置在所述栅间隔部中的所述相邻的栅间隔部和所述接触部之间，
其中，所述源/漏图案衬层包括绝缘材料。


9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案衬层包括蚀刻停止衬层和氢扩散阻止衬层。


10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：掩埋衬层，所述掩埋衬层设置在所述金属氧化物层和所述衬底之间，所述掩埋衬层与所述金属氧化物层接触并且包括过渡金属。


11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋宇彬，李相遇，赵珉熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR