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本发明构思的方面提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过包括氧化物半导体层的晶体管中的源/漏工程来提高性能和可靠性。该半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的金属氧化物层；源/漏图案，与金属氧化物层接触，并且包括从金属氧化物层的顶表面突出的部...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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