半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件以及形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上交替形成第一衬层和第二衬层；刻蚀所述第一衬层、所述第二衬层以及部分厚度的所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；所述鳍部包括第一区和第二区；在第二区相邻所述鳍部之间填充满绝缘层；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部，所述伪栅结构的顶部与所述绝缘层的顶部齐平；利用本发明专利技术的形成方法，使得形成的半导体器件的使用性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，位于衬底上且横跨的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。随着对器件性能不断提出的更高要求，催生了四面控制的全包围栅结构(Gate-all-around)。具有全包围栅极(Gate-all-around)结构的半导体器件拥有有效地限制短沟道效应(Shortchanneleffect)的特殊性能，正是业界在遵循摩尔定律不断缩小器件尺寸的革新中所极其渴望的。全包围栅极结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，在所述衬底上交替形成第一衬层和第二衬层；/n刻蚀所述第一衬层、所述第二衬层以及部分厚度的所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；/n所述鳍部包括第一区和第二区；/n在所述第二区相邻所述鳍部之间填充满绝缘层；/n在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部，所述伪栅结构的顶部与所述绝缘层的顶部齐平。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上交替形成第一衬层和第二衬层；
刻蚀所述第一衬层、所述第二衬层以及部分厚度的所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；
所述鳍部包括第一区和第二区；
在所述第二区相邻所述鳍部之间填充满绝缘层；
在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部，所述伪栅结构的顶部与所述绝缘层的顶部齐平。


2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅中的一种或多种。


3.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构之后，还包括：
去除所述伪栅结构以及所述第一衬层，在相邻的所述第二衬层以及所述衬底与所述第二衬层之间形成沟道；
在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述第二衬层且填充满所述沟道。


4.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬层的材料与所述第二衬层的材料不同，所述第一衬层的材料包括硅、锗、硅锗、砷化镓。


5.如权利要求4所述半导体器件的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31