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本发明提供一种半导体器件以及形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上交替形成第一衬层和第二衬层；刻蚀所述第一衬层、所述第二衬层以及部分厚度的所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；所述鳍部包括第一区和第二区；在第二区相邻所述鳍部之间填充...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。