半导体装置结构及其制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置结构及其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第一电极和第二电极。所述第一氮化物半导体层安置于所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置于所述第一氮化物半导体层上。所述第三氮化物半导体层安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第一电极安置于所述第二氮化物半导体层上，且与所述第三氮化物半导体层隔开。所述第二电极覆盖所述第三氮化物半导体层的上表面，且与所述第一氮化物半导体层直接接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置结构及其制造方法
本公开涉及一种半导体装置结构，且更明确地说涉及一种集成肖特基二极管和PIN二极管的半导体装置结构。
技术介绍
包含直接带隙半导体的组件(例如，包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V化合物)的半导体组件)可在多种条件下或在多种环境中(例如，在不同电压和频率下)操作或工作。半导体组件可包含异质结双极晶体管(heterojunctionbipolartransistor，HBT)、异质结场效应晶体管(heterojunctionfieldeffecttransistor，HFET)、高电子迁移率晶体管(high-electron-mobilitytransistor，HEMT)、经调制掺杂FET(modulation-dopedFET，MODFET)等。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，一种半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第一电极和第二电极。第一氮化物半导体层安置于衬底上。第二氮化物半导体层安置于第一氮化物半导体层上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，其包括：/n衬底；/n第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；/n第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；/n第三氮化物半导体层，其安置于所述第二氮化物半导体层上；/n第一电极，其安置于所述第二氮化物半导体层上且与所述第三氮化物半导体层隔开；以及/n第二电极，其覆盖所述第三氮化物半导体层的上表面，且与所述第一氮化物半导体层直接接触。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置结构，其包括：
衬底；
第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；
第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；
第三氮化物半导体层，其安置于所述第二氮化物半导体层上；
第一电极，其安置于所述第二氮化物半导体层上且与所述第三氮化物半导体层隔开；以及
第二电极，其覆盖所述第三氮化物半导体层的上表面，且与所述第一氮化物半导体层直接接触。


2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第三氮化物半导体层包括p型掺杂剂。


3.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第三氮化物半导体层包括p型掺杂GaN层、p型掺杂AlGaN层和p型掺杂AlN层中的至少一个。


4.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第三氮化物半导体层的所述上表面的一部分从所述第二电极暴露。


5.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第三氮化物半导体层包括从所述第二电极暴露的邻近于所述第一电极的第一侧表面。


6.根据权利要求5所述的半导体装置结构，其中所述第三氮化物半导体层包括与所述第一侧表面相对的第二侧表面，且所述第二侧表面与所述第二电极直接接触。


7.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第三氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层充当PIN二极管。


8.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第二电极和所述第一氮化物半导体层充当肖特基二极管。


9.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一电极安置于与所述第三氮化物半导体层相同的高度处。


10.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第二电极安置于大于所述第一电极的高度处。


11.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第一电极具有与所述第三氮化物半导体层的所述上表面之高度相同的上表面。


12.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第二电极延伸到所述第二氮化物半导体层中。


13.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第二电极穿透所述第二氮化物半导体层。


14.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述第二电极延伸到所述第一氮化物半导体层中。


15.一种半导体装置结构，其包括：
衬底；以及
第一装置，其安置于所述衬底上，包括：
第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；
第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；
第三氮化物半导体层，其安置于所述第二氮化物半导体层上；
第一电极，其与所述第三氮化物半导体层隔开；以及
第二电极，其与所述第三氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层直接接触；以及
第二装置，其安置于所述衬底上且电连接到所述第一装置。


16.根据权利要求15所述的半导体装置结构，其中所述第一氮化物半导体层的至少一部分、所述第二氮化物半导体层的至少一部分和所述第三氮化物半导体层的至少一部分充当PIN二极管。


17.根据权利要求15所述的半导体装置结构，其中所述第二电极的至少一部分与所述第一氮化物半导体层的至少一部分的组合充当肖特基二极管。


18.根据权利要求15所述的半导体装置结...

【专利技术属性】
技术研发人员：张安邦，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44