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提供一种半导体装置结构及其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第一电极和第二电极。所述第一氮化物半导体层安置于所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置于所述第一氮化物半导体层上。所...该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。
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提供一种半导体装置结构及其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第一电极和第二电极。所述第一氮化物半导体层安置于所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置于所述第一氮化物半导体层上。所...