外延基板制造技术

外延基板具备主面为c面的GaN基板、以及在主面上外延生长的GaN层，主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的前述GaN层中的E3陷阱浓度为3.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延基板
本专利技术涉及外延基板。
技术介绍
氮化镓(GaN)作为用于制造发光元件、晶体管等半导体装置的材料而使用。通过使用在GaN基板上外延生长的高品质GaN层，能够获得高性能的半导体装置。GaN层所含的陷阱会使半导体装置的特性降低。作为GaN层所含的主要陷阱，已知电子陷阱E3(以下也称为E3陷阱)，优选GaN层中的E3陷阱浓度低。此外，优选GaN层中的E3陷阱浓度的偏差小。非专利文献1中说明了E3陷阱浓度因GaN层中的碳浓度减少而增加。现有技术文献非专利文献非专利文献1：T.Tanaka,K.Shiojima,T.MishimaandY.Tokuda，“Deep-leveltransientspectroscopyoflow-free-carrier-concentrationn-GaNlayersgrownonfreestandingGaNsubstrates:Dependenceoncarboncompensationratio”,JapaneseJournalofAppliedPhysics55,061本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延基板，其具备：/n主面为c面的GaN基板；以及/n在所述主面上外延生长的GaN层，/n所述主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的所述GaN层中的E3陷阱浓度为3.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180831 JP 2018-1636401.一种外延基板，其具备：
主面为c面的GaN基板；以及
在所述主面上外延生长的GaN层，
所述主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的所述GaN层中的E3陷阱浓度为3.0×1013cm-3以下。


2.根据权利要求1所述的外延基板，其中，在所述区域上生长的所述GaN层中，最大的E3陷阱浓度相对于最小的E3陷阱浓度的比率为1.5倍以下。


3.一种外延基板，其具备：
主面为c面的GaN基板；以及
在所述主面上外延生长的GaN层，
所述主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的所述GaN层中，最大的E3陷阱浓度相对于最小的E3陷阱浓度的比率为1.5倍以下。
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【专利技术属性】
技术研发人员：堀切文正，成田好伸，盐岛谦次，
申请(专利权)人：赛奥科思有限公司，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP