一种外延生长方法技术

本发明专利技术提供一种外延生长方法，包括以下步骤：提供半导体结构；在锗烷(GeH

【技术实现步骤摘要】
一种外延生长方法
本专利技术主要涉及半导体领域，尤其涉及一种外延生长方法。
技术介绍
单晶外延生长在半导体产品的制作工艺中具有广泛应用，例如3DNANDFlash、DRAM(动态随机存取存储器)等。单晶硅衬底表面的清洁度是决定外延生长的单晶硅品质(例如，表面缺陷数量、重复单元中的生长均一性等)的关键因素。以3DNAND三维存储器为例，在器件制造过程中，如硅衬底表面形成有含氧的硅层，则该含氧的硅层将抑制外延生长的成核，从而影响外延生长的单晶硅品质。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种外延生长方法，实现工艺流程的优化，并提高单晶硅衬底表面的清洁度。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种外延生长方法，包括以下步骤：提供半导体结构；充入锗烷(GeH4)和载气的混合气体并在预设温度下烘烤所述半导体结构，所述锗烷(GeH4)在所述预设温度下分解产生锗原子和/或锗原子簇；以及进行硅或硅基材料的外延生长。在本专利技术的一实施例中，所述混合气体还包括氯化氢(HCl)。在本专利技术的一实施例中，所述预设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延生长方法，包括以下步骤：/n提供半导体结构；/n充入锗烷(GeH

【技术特征摘要】
1.一种外延生长方法，包括以下步骤：
提供半导体结构；
充入锗烷(GeH4)和载气的混合气体并在预设温度下烘烤所述半导体结构，所述锗烷(GeH4)在所述预设温度下分解产生锗原子和/或锗原子簇；以及
进行硅或硅基材料的外延生长。


2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述硅基材料包括硅锗材料。


3.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述混合气体还包括氯化氢(HCl)。


4.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述预设温度为600摄氏度至800摄氏度。


5.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，充入所述混合气体时，所述锗烷(GeH4)的流量为200-350毫升/分钟。


6.根据权利要求3所述的外延生长方法，其特征在于，充入所述混合气体时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张豪，郭海峰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42