结构体的制造方法和结构体的制造装置制造方法及图纸

结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；以晶圆表面与蚀刻液表面平行的方式，将晶圆以晶圆的表面浸渍于蚀刻液中的状态收纳在容器内的工序；以及，不搅拌蚀刻液，将光从前述蚀刻液的表面侧照射至晶圆表面的工序，在晶圆的表面划定出彼此隔开配置的第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域，在将光照射至晶圆表面的工序中，对第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域的表面分别垂直地照射光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结构体的制造方法和结构体的制造装置
本专利技术涉及结构体的制造方法和结构体的制造装置。
技术介绍
氮化镓(GaN)等III族氮化物被用作用于制造发光元件、晶体管等半导体装置的材料，此外，作为微小电气机械系统(MEMS)的材料也备受关注。作为GaN等III族氮化物的蚀刻技术，提出了使用阳极氧化的蚀刻(以下也称为光电化学(PEC)蚀刻)(例如参照非专利文献1)。PEC蚀刻是与一般的干蚀刻相比损伤小的湿蚀刻，此外，与中性离子束蚀刻(例如参照非专利文献2)、原子层蚀刻(例如参照非专利文献3)等损伤小的特殊干蚀刻相比，在装置简便的方面优选。但是，关于通过PEC蚀刻能够对GaN等III族氮化物进行怎样的加工，大多是未知的。对于想要量产性实施通过对III族氮化物实施PEC蚀刻来制造结构体的技术时的课题，截止至今并未做任何研究。例如，完全没有研究对大直径(例如直径为2英寸以上)的晶圆进行的PEC蚀刻中的、用于提高蚀刻的面内均匀性的技术。此外，例如，完全没有研究用于在抑制蚀刻条件随时间发生变动的同时进行PEC蚀刻的技术。>现有技术文献...

【技术保护点】
1.一种结构体的制造方法，其具有如下工序：/n准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；/n在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；/n以所述晶圆的表面与所述蚀刻液的表面平行的方式，将所述晶圆以所述晶圆的表面浸渍于所述蚀刻液中的状态收纳在所述容器内的工序；以及/n不搅拌所述蚀刻液，将光从所述蚀刻液的表面侧照射至所述晶圆的表面的工序，/n在所述晶圆的表面划定出彼此隔开配置的第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域，所述第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域是所述III族氮化物晶体通过在浸渍于所述蚀刻液中的状态下照射所述光而被蚀刻的区域，/n在将所述光照...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181018 JP 2018-196971;20190729 JP 2019-1389131.一种结构体的制造方法，其具有如下工序：
准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；
在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；
以所述晶圆的表面与所述蚀刻液的表面平行的方式，将所述晶圆以所述晶圆的表面浸渍于所述蚀刻液中的状态收纳在所述容器内的工序；以及
不搅拌所述蚀刻液，将光从所述蚀刻液的表面侧照射至所述晶圆的表面的工序，
在所述晶圆的表面划定出彼此隔开配置的第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域，所述第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域是所述III族氮化物晶体通过在浸渍于所述蚀刻液中的状态下照射所述光而被蚀刻的区域，
在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，对所述第一被蚀刻区域的表面和所述第二被蚀刻区域的表面分别垂直地照射所述光。


2.根据权利要求1所述的结构体的制造方法，其中，通过对所述过二硫酸根离子照射所述光而生成的硫酸根离子自由基通过扩散而被供给至所述第一被蚀刻区域和所述第二被蚀刻区域。


3.根据权利要求1或2所述的结构体的制造方法，其中，在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，对所述第一被蚀刻区域和所述第二被蚀刻区域分别照射作为所述光的平行光。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的结构体的制造方法，其中，在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，作为所述光，在所述晶圆的表面上照射平行光，所述平行光具有内含所述第一被蚀刻区域和所述第二被蚀刻区域的大小的照射截面。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的结构体的制造方法，其中，在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，照射所述第一被蚀刻区域的照射强度与所述第二被蚀刻区域的照射强度相等的所述光。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的结构体的制造方法，其中，在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，以所述第一被蚀刻区域的累积照射能量与所述第二被蚀刻区域的累积照射能量相等的方式照射所述光。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的结构体的制造方法，其中，在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，对所述第一被蚀刻区域和所述第二被蚀刻区域同时照射所述光。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的结构体的制造方法，其中，在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，在所述晶圆的表面上照射如下的所述光：其具有内含所述第一被蚀刻区域和所述第二被蚀刻区域的大小的照射截面，且该照射截面内的照射强度分布被均匀化。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的结构体的制造方法，其中，在将所述光照射至所述晶圆的表面的工序中，对所述第一被蚀刻区域和所述第二被蚀刻区域分别间歇性地照射所述光，
在所述光的间歇性照射中交替地反复进行：在所述光的照射期间生成所述III族氮化物晶体所含的III族元素的氧化物；以及在所述光的非照射期间使所述氧化物的全部厚度溶解。


10.根据权利要求9所述的结构体的制造方法，其中，在所述非照射期间，在所述照射期间蓄积在所述晶圆中的电子因非辐射复合而被消耗。


11.根据权利要求1～10中任一项所述的结构体的制造方法，其中，从所述晶圆的表面起至所述蚀刻液的表面为止的距离为1mm以上且100mm以下。


12.根据权利要求1～11中任一项所述的结构体的制造方法，其中，不使用以...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀切文正，
申请(专利权)人：赛奥科思有限公司，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP