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结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；以晶圆表面与蚀刻液表面平行的方式，将晶圆以晶圆的表面浸渍于蚀刻液中...该专利属于赛奥科思有限公司;住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过赛奥科思有限公司;住友化学株式会社授权不得商用。
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