公共层上的光子器件和电子器件制造技术

一种光子器件具有Al

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】公共层上的光子器件和电子器件
本公开总体上涉及光子器件。本公开还涉及适于具有设置在公共单晶层上的光子器件和半导体电子器件的结构。本公开还涉及具有光子器件和III族-N半导体的结构。
技术介绍
如本领域所已知的，光子器件用于：如同激光器一样生成光子；如同放大器、调制器、开关或电光器件一样修改光子的传播；或者，如同光子检测器一样检测光子。如本领域所已知的，这些光子器件中的许多是使用不同材料的水平设置的层的垂直堆叠层形成的，并且包括：光子波导层，光子通过所述光子波导层生成和/或传播；以及设置在所述光子波导层上的包覆层；包覆层在光子器件的操作波长下具有比光子波导层的折射率低的折射率，以将光子约束在光子波导层内并且抑制光子泄漏到光子波导层外。如本领域所已知的，集成多个光子器件的结构被称为光子集成电路(PIC)或集成光电路。还已知的是，电子集成电路是集成了多个有源电子器件(例如，晶体管)和无源器件(例如，电阻器、电容器和电感器)的结构。因此，光子器件生成、传播和/或控制光子，而电子器件生成、传播和/或控制电子(和/或空穴)。一种理想的结构是将光子器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结构，包括：在公共单晶结构上的光子器件和电子器件，该单晶结构包括：III族-N化合物和氮化铝钪层，所述氮化铝钪层对于所述光子器件和电子器件是公共的。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180511 US 62/670,261;20180511 US 62/670,273;20181.一种结构，包括：在公共单晶结构上的光子器件和电子器件，该单晶结构包括：III族-N化合物和氮化铝钪层，所述氮化铝钪层对于所述光子器件和电子器件是公共的。


2.一种结构，包括：HEMT和光子器件，所述结构包括：III族-N层；Al1-xScxN层，所述Al1-xScxN层设置在所述III族-N层的表面上；其中，所述HEMT包括所述Al1-xScxN层的一个部分，并且所述光子器件包括所述Al1-xScxN层的所述表面的不同部分，并且其中，0＜x≤0.45。


3.一种结构，包括：电子器件和光子器件，所述结构包括：III族-N层；以及Al1-xScxN层，所述Al1-xScxN层设置在所述III族-N层的表面上，并且其中，0＜x≤0.45。


4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述电子器件具有异质结，在馈送到所述半导体器件的控制信号的控制下，载流子通过所述异质结通过沟道在一对区域之间传递。


5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述电子器件是HEMT。


6.一种结构，包括：单晶衬底；在所述单晶衬底上的电子器件和光子器件，在所述衬底中的为所述电子器件提供2DEG沟道的层；其中，所述光子器件具有在所述2DEG层之上的包覆层材料，并且其中，所述包覆层与提供2DEG的所述层晶格匹配。


7.根据权利要求6所述的结构，其中，提供所述2DEG沟道的所述层包括GaN。


8.根据权利要求2所述的结构，其中，包括III族-N层波导层，并且其中，所述AlScN层提供阻挡层以形成异质结，从而为所述HEMT提供2DEG沟道。


9.根据权利要求6所述的结构，其中，所述包覆层包括AlScN。


10.根据权利要求6所述的结构，其中，所述包覆层包括Al1-xScxN材料，其中，0＜x≤0.45。


11.根据权利要求7所述的光子器件，其中，所述光子波导层是包括AlyGa1-yN的材料，其中，Al是铝，Ga是镓，N是氮，并且其中，0...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·索尔塔尼，E·M·詹贝斯，
申请(专利权)人：雷神BBN技术公司，雷声公司，
类型：发明
国别省市：美国;US