高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法，该高电子迁移率晶体管包括：AlN层(2)；两部分衬底层(1)，所述两部分衬底层(1)分别位于所述AlN层(2)的下表面的两端；Al

【技术实现步骤摘要】
高击穿的AlNAlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种高击穿的AlNAlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT，HighElectronMobilityTransistor)是一种异质结场效应晶体管，和硅基器件相比具有很多优势。由第三代宽禁带半导体材料氮化物构成的HEMT器件，凭着其在直接带隙、高温、高频、大功率等方面的明显优势，在发光二极管、激光器、移动通信、雷达系统、电力电子、微波功率、航空航天等领域得到了广泛应用。AlGaN/GaNHEMT因为极化效应强，不需要进行掺杂就可以形成天然的导电沟道。如果把异质结两侧的Al组分同时提升，就可以得到AlN/AlGaNHEMT。这种异质结的两侧都是由超宽禁带半导体材料构成的，其击穿电压明显高于传统的AlGaN/GaNHEMT。但是，AlGaN/GaNHEMT器件仍存在许多问题，制约了其大规模的应用。由于高铝组分的AlGaN材料禁带宽度非常大，有效的掺杂非常困难，后果就是有很好的二维电子气，但是没有办法制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：/nAlN层(2)；/n两部分衬底层(1)，所述两部分衬底层(1)分别位于所述AlN层(2)的下表面的两端；/nAl

【技术特征摘要】
1.一种高击穿的AlNAlGaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
AlN层(2)；
两部分衬底层(1)，所述两部分衬底层(1)分别位于所述AlN层(2)的下表面的两端；
AlxGa1-xN势垒层(3)，所述AlxGa1-xN势垒层(3)位于所述两部分衬底层(1)之间；
源极(4)，所述源极(4)位于处于所述AlxGa1-xN势垒层(3)一端的所述衬底层(1)的下表面；
漏极(5)，所述漏极(5)位于处于所述AlxGa1-xN势垒层(3)另一端的所述衬底层(1)的下表面；
栅极(6)，所述栅极(6)位于所述AlxGa1-xN势垒层(3)的下表面。


2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述衬底层(1)的材料为Si，所述衬底层(1)的厚度范围为5-50nm。


3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述AlxGa1-xN势垒层(3)中x的取值范围为0.5≤x≤1。


4.根据权利要求1或3所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述AlN层(2)的厚度范围为1000-5000nm，所述AlxGa1-xN势垒层(3)的厚度范围为5-50nm。


5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极(4)和所述漏极(5)均为欧姆接触电极。


6.根据权利要求1或5所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极(4)、所述漏极(5)和所述栅极(6)的材料均为Ti/Al/Ni/Au。

【专利技术属性】
技术研发人员：许晟瑞，纪凯乔，张雅超，宁静，陈大正，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61