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一种柔性微波功率晶体管及其制备方法。所述制备方法针对现有的制备方法中Si衬底制备的器件晶格失配大，器件性能不好的技术缺陷，在刚性SiC衬底上生长GaNHEMT层，避免了硅衬底与GaN的晶格失配，提高柔性微波功率晶体管的性能。而且，针对现有的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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