增强型GaN HEMT器件制造技术

本申请提供一种增强型GaN HEMT器件，属于半导体器件技术领域。增强型GaN HEMT器件的衬底表面设置有目标掩膜；GaN沟道层设置于目标掩膜表面和衬底未设置目标掩膜的表面，且表面具有与目标掩膜位置对应的凹槽。器件在制备中能避免刻蚀势垒层对器件造成损伤，能够提高器件的可靠性；且工艺可控性好，便于规模化制备。

【技术实现步骤摘要】
增强型GaNHEMT器件
本申请涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种增强型GaNHEMT器件。
技术介绍
基于AlGaN/GaN的异质结构，由于极化效应，在界面处可以获得大于2×1013/cm2的二维电子气密度，常被用于高电子迁移率晶体管HEMT的制作。目前，GaNHEMT器件多以耗尽型器件为主，然而耗尽型器件的常开特性又很难满足电力电子器件在安全性方面的要求，研究和制造高性能AlGaN/GaN增强型HEMT器件具有非常重要的意义。凹槽栅技术是制备增强型HEMT器件的一种重要方法。传统技术中，通过将栅极下方区域的AlGaN势垒层刻蚀掉一部分制备凹槽栅，当势垒层减薄至一定程度时，栅极区域的二维电子气(2DEG)会被耗尽，而栅源之间、栅漏之间的二维电子气浓度则维持原有的浓度水平。在对AlGaN势垒层刻蚀时，由于刻蚀深度小，难以准确控制刻蚀深度，且工艺重复性差；而且刻蚀过程中往往还会对槽栅区域势垒层表面造成不可避免的损伤，并产生大量表面态，引起栅极漏电增大，从而导致栅极调控能力下降。现有技术中，为了克服刻蚀AlGaN势垒层存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强型GaN HEMT器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n目标掩膜，所述目标掩膜设置于所述衬底的部分表面；以及/nGaN沟道层，所述GaN沟道层设置于所述目标掩膜表面和所述衬底未设置所述目标掩膜的表面，所述GaN沟道层的表面具有与所述目标掩膜位置对应的凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种增强型GaNHEMT器件，其特征在于，包括：
衬底；
目标掩膜，所述目标掩膜设置于所述衬底的部分表面；以及
GaN沟道层，所述GaN沟道层设置于所述目标掩膜表面和所述衬底未设置所述目标掩膜的表面，所述GaN沟道层的表面具有与所述目标掩膜位置对应的凹槽。


2.根据权利要求1所述的增强型GaNHEMT器件，其特征在于，所述目标掩膜的材质为SiO2或者SiNx；和/或，所述目标掩膜的厚度为5～500nm。


3.根据权利要求1或2所述的增强型GaNHEMT器件，所述GaN沟道层的表面包括位于所述凹槽外的第一表面和位于所述凹槽内的第二表面，其特征在于，还包括：
AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层设置于所述第一表面；
钝化层，所述钝化层包括设置于所述AlGaN势垒层表面的第一钝化区和设置于所述第二表面的第二钝化区；
源极，所述源极穿过所述第一钝化区与所述AlGaN势垒层欧姆接触；
漏极，所述漏极穿过所述第一钝化区与所述AlGaN势垒层欧姆接触；以及
栅极，所述栅极设置于所述第二钝化区。


4.根据权利要求1或2所述的增强型...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，左朋，王世卓荦，杨浩军，王晓晖，丁国建，张宇超，冯琦，王海玲，贾海强，陈弘，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：新型
国别省市：广东;44