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本申请提供一种增强型GaN HEMT器件，属于半导体器件技术领域。增强型GaN HEMT器件的衬底表面设置有目标掩膜；GaN沟道层设置于目标掩膜表面和衬底未设置目标掩膜的表面，且表面具有与目标掩膜位置对应的凹槽。器件在制备中能避免刻蚀势垒层...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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