【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
目前，第三代宽禁带半导体材料氮化镓由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，所以比硅和砷化镓更适合于制作高温、高频、高压和大功率的器件。氮化镓器件在高频大功率微波器件方面有很好的应用前景，从20世纪90年代至今，氮化镓器件的研制一直是电子器件研究的热点之一。由于氮化镓本征衬底的缺乏，氮化镓器件都是在异质衬底上制成，比如说蓝宝石、碳化硅和硅。但是，现有技术中的异质衬底也存在诸多不足，如晶格差异、热膨胀差异等，该些不足会形成高的缺陷密度，降低了器件的可靠性，而且无法满足高的击穿电压等要求。因此，如何通过改进衬底进一步提高氮化镓器件的质量、以及提高击穿电压是亟待解决的技术难题。
技术实现思路
本申请提供一种半导体结构，通过设置设有隔离区域的层叠结构，能够起到提高击穿电压的有益效果，从而提高了半导体结构的质量。为实现上述目的，根据本申请实施例提供一种半导体结构，所述半导体结构包括由SOI衬底和过渡层沿垂直...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括由SOI衬底和过渡层沿垂直方向层叠形成的层叠结构，所述SOI衬底沿垂直方向包括依次叠设处理晶片、埋氧层以及顶层硅，所述过渡层位于所述顶层硅上；/n其中，所述层叠结构内沿垂直方向设有一个或者多个隔离区域，多个所述隔离区域呈阵列排列，沿垂直方向所述隔离区域的一端位于所述埋氧层中。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括由SOI衬底和过渡层沿垂直方向层叠形成的层叠结构，所述SOI衬底沿垂直方向包括依次叠设处理晶片、埋氧层以及顶层硅，所述过渡层位于所述顶层硅上；
其中，所述层叠结构内沿垂直方向设有一个或者多个隔离区域，多个所述隔离区域呈阵列排列，沿垂直方向所述隔离区域的一端位于所述埋氧层中。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，通过开设第一凹槽的方式形成所述隔离区域，所述第一凹槽沿垂直方向开设于所述层叠结构上，所述第一凹槽至少贯穿所述过渡层和所述顶层硅，且所述第一凹槽的下方至少留有部分所述埋氧层。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡层的材料为AlN。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的侧壁设置有绝缘层。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽内填充有填充物。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，通过离子注入的方式形成所述隔离区域的结构。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括依次叠设于所述过渡层上的缓冲层以及半导体器件。
8.如权利要求7所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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