低栅容金氧半导体二极管制造技术

一种低栅容金氧半导体二极管，包括一基板，其包括一高掺杂浓度N型硅基板及一位于该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层；一掩膜层位于该低掺杂浓度N型外延层上方；该低掺杂浓度N型外延层的上部形成一凹槽；该掩膜层具有一第一穿孔及至少一第二穿孔；该第一穿孔与该凹槽整体形成一沟槽围绕在该低栅容金氧半导体二极管的四周形成正方形结构；一氧化层位在该凹槽内侧壁及底部；该低掺杂浓度N型外延层位于各第二穿孔的底部下方具有一P型层用于形成长条形的P井而包封在该正方形结构内侧；各第二穿孔的底部周缘具有一栅极氧化层；该氧化层及该第一穿孔的内侧壁上及各第二穿孔的内侧壁上有一栅极结构。

【技术实现步骤摘要】
低栅容金氧半导体二极管
本技术涉及一种半导体二极管，特别涉及一种低栅容金氧半导体二极管。
技术介绍
萧基二极管是一种以电子为载流的单极性元件，具有速度快以及正向导通压降值(VF)低的特性，由于没有少数载流复合的因素，因此也具有反向回复时间(trr)短的特性。但是，萧基二极管在反向偏压时其漏电流较大。P-N二极管为一种双载流的单极性元件，其具有传导电流量高的特性，但是P-N二极管的正向导通压降值(VF)高于萧基二极管，且因空乏载流的作用而使得反向回复时间变长，因此P-N二极管的反应速度变慢。为了改善上述萧基二极管及P-N二极管的缺陷，目前已经发展出一种栅式二极管，例如美国专利“6624030”提出一种栅式二极管结构，此种元件其正向导通压降值(VF)可低于萧基二极管的正向导通压降值，而其反向漏电流也小于萧基二极管的反向漏电流，可接近于P-N二极管的反向漏电流。栅式二极管在高温下的反向回复时间也接近于该萧基二极管的反向回复时间。因此在应用上具有更佳的性能。但是，目前的栅式二极管在室温下，其反向回复时间长于萧基二极管。故本技术希本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低栅容金氧半导体二极管，其特征在于，包括：/n一基板，该基板包括一高掺杂浓度N型硅基板，以及一位于该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层；/n一掩膜层位于该低掺杂浓度N型外延层上方；该掩膜层为一氧化层；/n其中该低掺杂浓度N型外延层的上部形成一凹槽；/n其中该掩膜层具有一第一穿孔及至少一第二穿孔；其中该第一穿孔的位置对应于该凹槽，且该第一穿孔及该凹槽整体形成一沟槽；各第二穿孔的底部即为该低掺杂浓度N型外延层的上表面；其中该沟槽围绕该低栅容金氧半导体二极管的四周形成正方形的结构；/n一氧化层位于该凹槽的内侧壁及底部；/n其中该低掺杂浓度N型外延层位于各第二穿孔的底部下方具有一P...

【技术特征摘要】
1.一种低栅容金氧半导体二极管，其特征在于，包括：
一基板，该基板包括一高掺杂浓度N型硅基板，以及一位于该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层；
一掩膜层位于该低掺杂浓度N型外延层上方；该掩膜层为一氧化层；
其中该低掺杂浓度N型外延层的上部形成一凹槽；
其中该掩膜层具有一第一穿孔及至少一第二穿孔；其中该第一穿孔的位置对应于该凹槽，且该第一穿孔及该凹槽整体形成一沟槽；各第二穿孔的底部即为该低掺杂浓度N型外延层的上表面；其中该沟槽围绕该低栅容金氧半导体二极管的四周形成正方形的结构；
一氧化层位于该凹槽的内侧壁及底部；
其中该低掺杂浓度N型外延层位于各第二穿孔的底部下方具有一P型层；该P型层为活化的硼离子注入层；其中该P型层在该第二穿孔的下方形成一P井；该P井为长条形而包封在该沟槽所形成的正方形的结构内侧；
其中各第二穿孔的底部周缘分别具有一栅极氧化层，其位于该低掺杂浓度N型外延层的上方；
其中该沟槽的该氧化层及该第一穿孔的内侧壁上、及各第二穿孔的内侧壁上具有一栅极结构；其中位于各第二穿孔的栅极结构位于对应的各第二穿孔的该栅极氧化层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：费龙庆，张崇健，
申请(专利权)人：奈沛米上海半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31