【技术实现步骤摘要】
一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管
本技术属于半导体
，特别涉及一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管。
技术介绍
随着工艺尺寸的缩小，片上集成电路的防护等级越来越弱，而电压和电流的瞬态干扰无时不在，随时会给设备带来致命损害，对瞬态电压抑制器(TVS)的需求和依赖随之增加。应用在数据接口电路中的TVS，电容是至关重要的参数，电容太大会衰减传输信号，因此低电容的保护器件需求日益紧迫。开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行“开”(正向导通)、“关”(反向截至)而特殊设计制造的一类二极管。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高、低电容等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。其中，高频应用的一种形式是与TVS二极管搭配使用，通过使用开关二极管与TVS二极管的串并联，端口电容从TVS二极管的大电容降低至接近开关二极管的低电容，降低TVS产品的电容，从而可适应高速端口的应用。开关二极管可通过封装与TVS二极管集成，也可通过芯片工艺设计集成
【技术保护点】
1.一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，在N型阱和P型阱内分别注入N型重掺杂和P型重掺杂，N型阱内的P型重掺杂作为阳极用金属引出，P型阱内的N型重掺杂作为阴极用金属引出，N型阱内的N型重掺杂和P型阱内的P型重掺杂作为两个门极用金属引出，其特征在于，通过金属连接将两个门极与阳极短接形成开关二极管。/n
【技术特征摘要】
20190701 CN 20192102227451.一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，在N型阱和P型阱内分别注入N型重掺杂和P型重掺杂，N型阱内的P型重掺杂作为阳极用金属引出，P型阱内的N型重掺杂作为阴极用金属引出，N型阱内的N型重掺杂和P型阱内的P型重掺杂作为两个门极用金属引出，其特征在于，通过金属连接将两个门极与阳极短接形成开关二极管。
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵德益，苏海伟，吕海凤，王允，赵志方，叶毓明，冯星星，李亚文，吴青青，张利明，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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