一种高压快恢复二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压快恢复二极管芯片，包括二极管芯片本体，所述二极管芯片本体内壁的底部设置有P型层，所述P型层的顶部设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层的顶部设置有透明导电层，所述透明导电层的顶部设置有P型电极，所述P型电极的顶端固定连接有N型层，所述N型层的顶部固定连接N型电极，所述二极管芯片本体一侧的前侧与后侧均固定连接有第一引脚。该高压快恢复二极管芯片，通过采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流，本实用新型专利技术具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种高压快恢复二极管芯片
本技术涉及二极管芯片
，具体为一种高压快恢复二极管芯片。
技术介绍
发光二极管是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结作为发光材料，可以直接将电转换为光。现有技术中的高压快恢复二极管芯片不具备很好的稳定性，容易造成反向漏电流的现象。
技术实现思路
（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种高压快恢复二极管芯片，解决了现有技术中的高压快恢复二极管芯片不具备很好的稳定性，容易造成反向漏电流的现象的问题。（二）技术方案为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种高压快恢复二极管芯片，包括二极管芯片本体，所述二极管芯片本体内壁的底部设置有P型层，所述P型层的顶部设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层的顶部设置有透明导电层，所述透明导电层的顶部设置有P型电极。优选的，所述P型电极的顶端固定连接有N型层，所述N型层的顶部固定连接N型电极。优选的，所述二极管芯片本体一侧的前侧与后侧均固定连接有第一引脚，所述二极管芯片本体一侧且位于两个所述第一引脚相对的一侧之间均固定连接有第二引脚。优选的，所述二极管芯片本体的顶部开设有凹槽，所述凹槽内壁的一侧设置有纯化层，所述凹槽内壁的另一侧设置有放射层。优选的，所述二极管芯片本体一侧的底部固定连接有铁片，所述铁片的顶部开设有圆孔。优选的，所述二极管芯片本体的顶部设置有固定螺丝。（三）有益效果本技术提供了一种高压快恢复二极管芯片。具备以下有益效果：通过采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流，另外它具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。附图说明图1为本技术内部结构示意图；图2为本技术正面结构示意图。图中：1、二极管芯片本体；2、P型层；3、电流阻挡层；4、透明导电层；5、P型电极；6、N型层；7、N型电极；8、第一引脚；9、第二引脚；10、凹槽；11、纯化层；12、放射层；13、铁片；14、圆孔；15、固定螺丝。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1-2所示，本技术提供一种技术方案：一种高压快恢复二极管芯片，包括二极管芯片本体1，二极管芯片本体1内壁的底部设置有P型层2，P型层2的顶部设置有电流阻挡层3，电流阻挡层3的顶部设置有透明导电层4，透明导电层4的顶部设置有P型电极5，特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流；P型电极5的顶端固定连接有N型层6，N型层6的顶部固定连接N型电极7。二极管芯片本体1一侧的前侧与后侧均固定连接有第一引脚8，二极管芯片本体1一侧且位于两个第一引脚8相对的一侧之间均固定连接有第二引脚9。二极管芯片本体1的顶部开设有凹槽10，凹槽10内壁的一侧设置有纯化层11，凹槽10内壁的另一侧设置有放射层12。二极管芯片本体1一侧的底部固定连接有铁片13，铁片13的顶部开设有圆孔14。二极管芯片本体1的顶部设置有固定螺丝15，二极管芯片本体1的顶部设置有若干个固定螺丝15，通过设置固定螺丝15能够安装外壳保护内部芯片的安全。综上可得，该高压快恢复二极管芯片，通过采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流，另外通过放射层具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压快恢复二极管芯片，包括二极管芯片本体（1），所述二极管芯片本体（1）内壁的底部设置有P型层（2），所述P型层（2）的顶部设置有电流阻挡层（3），所述电流阻挡层（3）的顶部设置有透明导电层（4），所述透明导电层（4）的顶部设置有P型电极（5）。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压快恢复二极管芯片，包括二极管芯片本体（1），所述二极管芯片本体（1）内壁的底部设置有P型层（2），所述P型层（2）的顶部设置有电流阻挡层（3），所述电流阻挡层（3）的顶部设置有透明导电层（4），所述透明导电层（4）的顶部设置有P型电极（5）。


2.根据权利要求1所述的一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：所述P型电极（5）的顶端固定连接有N型层（6），所述N型层（6）的顶部固定连接N型电极（7）。


3.根据权利要求1所述的一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：所述二极管芯片本体（1）一侧的前侧与后侧均固定连接有第一引脚（8），所述二极管芯片本体（1）一侧且位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何豆豆，
申请(专利权)人：惠安中正网络科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35