半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，其包含：第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；第三半导体层，所述第三半导体层为第二导电型，形成在所述第一半导体层中并且相比于所述第二半导体层更远离所述第一表面，并且将所述第一半导体层的一部分夹在所述第二半导体层与所述第三半导体层之间；第四半导体层，所述第四半导体层为第二导电型并且将所述第二半导体层和所述第三半导体层彼此电连接；以及第一电极，所述第一电极在俯视图中在所述第二半导体层内侧与所述第四半导体层电连接，其中所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第一半导体层中包含的第一导电型杂质的有效浓度，并且所述第三半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本公开涉及一种半导体装置。本申请基于并要求于2018年4月13日提交的日本专利申请第2018-077461号的优先权，所述日本专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术介绍
终端结构可用于适合高压应用的半导体装置，例如PN结二极管、肖特基势垒二极管(Schottkybarrierdiode)、金属氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。已知的终端结构包含减小的表面场(RESURF)结构、保护环结构等(例如，专利文献1)。通过使用适当的终端结构，可减小终端部的电场集中，并且可减小耐压的劣化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-86483号公报
技术实现思路
根据实施方式的一个方面，半导体装置包含：第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；第三半导体层，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包含：/n第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型，并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；/n环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；/n第三半导体层，所述第三半导体层为第二导电型，形成在所述第一半导体层中并且相比于所述第二半导体层更远离所述第一表面，并且将所述第一半导体层的一部分夹在所述第二半导体层与所述第三半导体层之间；/n第四半导体层，所述第四半导体层为第二导电型，并且将所述第二半导体层和所述第三半导体层彼此电连接；以及/n第一电极，所述第一电极在俯视图中在所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180413 JP 2018-0774611.一种半导体装置，所述半导体装置包含：
第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型，并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；
环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；
第三半导体层，所述第三半导体层为第二导电型，形成在所述第一半导体层中并且相比于所述第二半导体层更远离所述第一表面，并且将所述第一半导体层的一部分夹在所述第二半导体层与所述第三半导体层之间；
第四半导体层，所述第四半导体层为第二导电型，并且将所述第二半导体层和所述第三半导体层彼此电连接；以及
第一电极，所述第一电极在俯视图中在所述第二半导体层内侧电连接到所述第四半导体层，
其中所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第一半导体层中包含的第一导电型杂质的有效浓度，并且
其中所述第三半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体层包含
第一环状层，所述第一环状层电连接到所述第四半导体层，以及
第二环状层，所述第二环状层形成在与所述第一环状层分离的位置并且在俯视图中围绕所述第一环状层。


3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，在俯视图中，所述第三半导体层的外缘位于比所述第二半导体层的外缘更靠近所述元件区域的一侧。


4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置包含
第五半导体层，所述第五半导体层为第二导电型并且当从所述第二半导体层上方观察时所述第三半导体层位于所述第二半导体层下方时，所述第五半导体层形成在所述第四半导体层下方，
其中，在俯视图中，所述第五半导体层的外缘位于比所述第四半导体层的外缘更靠近所述元件区域的一侧。


5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置包含
覆盖所述第一半导体层的绝缘膜，
其中所述第一电极包含覆盖所述绝缘膜上的所述第二半导体层的一部分的场板部。


6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，当从所述第二半导体层上方观察时所述第三半导体层位于所述第二半导体层下方时，
所述第二半导体层包含
第一区域，所述第一区域位于所述场板部的端部下方，并且包含具有第一有效浓度的第二导电型杂质，以及
第二区域，所述第二区域位于比所述第一区域更靠近所述第二半导体层的端部的一侧，并且包含具有低于所述第一有效浓度的第二有效浓度的第二导电型杂质。


7.一种半导体装置，所述半导体装置包含：
第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；
环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；
第三半导体层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤雄，增田健良，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP