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一种半导体装置，其包含：第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；第...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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