一种整流器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种整流器及其制造方法，包括第一导电类型的衬底，所述衬底的表面为第一主面；所述衬底具有沟槽，所述沟槽中填充有第一多晶硅，所述第一多晶硅与所述沟槽的侧壁隔离有第一氧化层；邻接所述沟槽侧壁的第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区，以及位于所述第一掺杂区表面被所述第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区；位于相邻沟槽间的第一掺杂区之间的第一主面上设置有第二氧化层，所述第二氧化层上设置有第二多晶硅。本发明专利技术通过设置较薄的第二氧化层以获得更低的正向导通电压；通过设置沟槽能够获得更高的反向击穿电压，同时通过降低PN结处的电场强度，获得了更低的反向漏电流。

【技术实现步骤摘要】
一种整流器及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体为一种整流器及其制造方法。
技术介绍
二极管是一种半导体电子器件，其在正向偏置电压下允许电流流动，而在反向偏置电压下阻塞电流。通常，二极管可以为电子管、固态设备或者机械设备。二极管最重要的应用场景是电流整流器，其可以将交流电转换为电脑、移动电话、电视机或其他日通电器所需的直流电。目前，传统的整流器的功能较为普通，在某些应用中，例如在功率电子应用中，期望二极管能够利用二极管两端尽可能低的电压降来在正向电流中传导高值，例如大于1A、或者甚至大于100A。进一步期望二极管在反向偏置时传导尽可能低的电流。进一步期望二极管能够阻挡电流流动来获得高反向电压值，例如大于10V、或甚至大于100V。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种整流器，通过设置较薄的第二氧化层以获得更低的正向导通电压；通过设置沟槽能够获得更高的反向击穿电压，同时通过降低PN结处的电场强度，获得了更低的反向漏电流，可以解决
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术一方面提供了一种整流器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流器，其特征在于，包括第一导电类型的衬底，所述衬底的表面为第一主面；/n所述衬底具有沟槽，所述沟槽中填充有第一多晶硅，所述第一多晶硅与所述沟槽的侧壁和底壁隔离有第一氧化层；/n邻接所述沟槽侧壁的第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区，以及位于所述第一掺杂区表面被所述第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区；/n位于相邻沟槽间的第一掺杂区之间的第一主面上设置有第二氧化层，所述第二氧化层上设置有第二多晶硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种整流器，其特征在于，包括第一导电类型的衬底，所述衬底的表面为第一主面；
所述衬底具有沟槽，所述沟槽中填充有第一多晶硅，所述第一多晶硅与所述沟槽的侧壁和底壁隔离有第一氧化层；
邻接所述沟槽侧壁的第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区，以及位于所述第一掺杂区表面被所述第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区；
位于相邻沟槽间的第一掺杂区之间的第一主面上设置有第二氧化层，所述第二氧化层上设置有第二多晶硅。


2.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。


3.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述第一主面上形成有第一金属层，其相互连接所述第一掺杂区、第二掺杂区、第一多晶硅和第二多晶硅。


4.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述衬底的背面为第二主面，所述第二主面形成有第二金属层，所述第二金属层与所述衬底欧姆接触。


5.一种整流器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供具有第一导电类型的衬底，所述衬底的表面为第一主面，选择性地掩蔽和刻蚀所述第一主面，以在所述衬底的正面得到沟槽；
步骤二、在所述沟槽内生长氧化层，以在所述沟槽的侧壁以及底壁形成第一氧化层；
步骤三、在生长有所述第一氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙闫涛，黄健，张朝志，顾昀浦，宋跃桦，吴平丽，樊君，张丽娜，虞翔，陈祖润，
申请(专利权)人：捷捷微电上海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31