本实用新型公开了一种新型功率器件，包括第一晶体管、第二晶体管组及通道控制电路；所述通道控制电路包括控制晶体管、稳压二极管及三极管。本实用新型可根据输入电压自行判断如何开启第一晶体管及第二晶体管组，以实现灵活控制，具有功耗低、响应快、保护...

本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括基板、第一引脚和第二引脚，芯片设置在基板上，第一引脚与基板一体成型，第一引脚通过基板与芯片电性连接，第二引脚在封装体内部通过散热铜片桥接与芯片电性连接；...

本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，包括有源区、第一柱区和第二柱区，所述第一柱区有部分区域在所述有源区的范围内，所述第二柱区完全在所述有源区的范围外，在第一方向上，所述第一柱区和第二柱区均匀分布；在与所述第一方向垂直的第二方向上，所...

本发明公开了一种集成SBR的SGT MOSFET的制作方法，在外延层上形成SGT沟槽及SBR沟槽；形成ONO结构；形成第一多晶硅；形成极间氧化层；去除位于极间氧化层上方的第二氧化层；去除SBR沟槽内的极间氧化层上方的氮化物层；在沟槽内，...

本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，包括第一导电类型的衬底，衬底上部设置有第一导电类型的外延层，外延层的表面设置有若干个沟槽，沟槽内填充有第二导电类型的电介质，沟槽的上端设置有第二导电类型的阱区，阱区内设置有第一导电类型的源极，外延...

本发明公开了一种集成SBR的SGT MOSFET的器件结构及其制作方法，包括衬底及外延层，外延层上设置有若干SGT沟槽及至少一个SBR沟槽；SGT沟槽包括由下至上依次设置的第一氧化层、第一多晶硅、极间氧化层、第二氧化层和第二多晶硅；SB...

本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括步骤：以缓冲刻蚀液作为腐蚀液，以湿法腐蚀方式去除所述腐蚀缓冲材料；所述缓冲刻蚀液腐蚀所述腐蚀缓冲材料的速率，高于所述缓冲刻蚀液腐蚀所述第一电介质材料的速率，所述缓冲刻蚀液为热磷酸溶液，所...

本实用新型公开了一种高功率CSP封装结构，包括基板和芯片，基板为导电基板，基板的正面具有经蚀刻形成的芯片焊接区，芯片设置在芯片焊接区内，芯片的背面电极与芯片焊接区的底面电性连接，芯片的侧周与基板之间的间隙内填充满塑封材料；正面电极突出于...

本发明公开了一种半导体功率器件结构及其制造方法，包括衬底、外延层及若干沟槽，在沟槽内，栅极多晶硅的上端还设置有绝缘层；沟槽的外壁处设置有第二导电类型的体区，体区的表面设置有第一导电类型的源极区，以及第二导电类型的体接触区；在外延层的表面...

本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，包括第一导电类型的衬底，所述衬底上部设置有第一导电类型的外延层，所述外延层的表面设置有若干个沟槽，所述沟槽内填充有第二导电类型的电介质，所述沟槽的上端设置有第二导电类型的阱区，所述阱区内设置有第一...

本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括：选取硅衬底并依次淀积第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层；对硅外延层表面刻蚀形成沟槽；形成分离栅氧化层；在沟槽内形成分离栅多晶硅；使分离栅多晶硅暴露于分离栅氧化层外；以干法刻蚀方式刻蚀分离...

本实用新型公开了一种低电容TVS器件，包括绝缘体上覆半导体衬底，绝缘体上覆半导体衬底包括第一导电类型的衬底、绝缘层及上第一导电类型的外延层，外延层表面由隔离结构分隔为一TVS二极管区及多个低电容二极管区；TVS二极管区的外延层表面设置有...

本发明公开了一种功率器件漏源寄生电容子电路模型及其建模方法，在本发明中，采用在漏端节点和源端节点之间加入可变电容的方法来对漏源电容Cds建模。首先结合流片器件的漏源电容电压的实测数据，利用Origin数据处理软件处理数据；然后在Orig...

本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，包括有源区，所述有源区内包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括衬底和外延层，所述外延层内设置有沟槽，所述沟槽内设置有金属填充区；所述金属填充区和所述沟槽的侧壁之间隔离有栅氧化层；所...

本实用新型公开了一种半导体散热结构，包括半导体封装器件和设置在所述半导体封装器件上方的外加散热片；半导体封装器件包括封装主体、位于所述封装主体顶部的器件散热片、位于所述封装主体侧面的若干个引脚；所述引脚弯折方向为背向所述器件散热片的方向...

本发明公开了一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构，包括半导体器件芯片、阴极金属片、阳极金属片、塑封体；半导体器件芯片的第一表面设置有源极焊盘和栅极焊盘；半导体器件芯片的第二表面设置有漏极焊盘；半导体器件芯片的源极和栅极未直接短接；当所...

本实用新型公开了一种整流器，包括衬底，衬底具有沟槽，沟槽内具有第一多晶硅和第二多晶硅，第一多晶硅的侧边与衬底之间设置有第一氧化层，第二多晶硅的侧边和底部与衬底之间设置有第二氧化层，位于第一多晶硅侧边的衬底中设置有第一掺杂区；在第一掺杂区...

本实用新型公开了一种整流器，包括衬底，衬底具有沟槽，沟槽的侧壁和底壁分别设置有侧壁氧化层和底壁氧化层，沟槽内设置有多晶硅；衬底的表面设置有绝缘氧化层，绝缘氧化层覆盖在多晶硅的表面，绝缘氧化层、侧壁氧化层和底壁氧化层包裹多晶硅；绝缘氧化层...

本发明公开了一种整流器及其制造方法，包括第一导电类型的衬底，所述衬底的表面为第一主面；所述衬底具有沟槽，所述沟槽中填充有第一多晶硅，所述第一多晶硅与所述沟槽的侧壁隔离有第一氧化层；邻接所述沟槽侧壁的第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂...

本实用新型公开了一种叠层芯片封装结构，包括：第一芯片，包括一第一背面电极和至少一个第一正面电极；第一重布线部件，包括第一导电垫和第一连接柱，以将所述第一背面电极引至所述叠层芯片封装结构的表面重新排布；第二芯片，包括一第二背面电极和至少一...