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本发明公开了一种整流器及其制造方法，包括第一导电类型的衬底，所述衬底的表面为第一主面；所述衬底具有沟槽，所述沟槽中填充有第一多晶硅，所述第一多晶硅与所述沟槽的侧壁隔离有第一氧化层；邻接所述沟槽侧壁的第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区，...
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