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一种低栅容金氧半导体二极管，包括一基板，其包括一高掺杂浓度N型硅基板及一位于该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层；一掩膜层位于该低掺杂浓度N型外延层上方；该低掺杂浓度N型外延层的上部形成一凹槽；该掩膜层具有一第一穿孔及至少一第二...
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