一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管制造技术

本发明专利技术公开的一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管，包括有由上至下依次设置的上电极、p型外延层、半绝缘层、下p型层及下电极；半绝缘层为半绝缘GaAs层或外延本征砷化镓层或外延低温半绝缘砷化镓层。本发明专利技术一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管，解决了现有技术中存在的固态脉冲压缩器件脉冲压缩比和前沿压缩比较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管
本专利技术属于脉冲功率
，具体涉及一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管。
技术介绍
高性能固态高压半导体开关可以产生高压、大功率、高重频、宽频带快电磁脉冲，一直是国内外脉冲功率技术的主要研究方向之一。脉冲压缩器件能够将脉冲功率开关产生的电脉冲进一步压缩，以加快脉冲上升速度和缩短脉冲宽度。常见的脉冲压缩器件有半导体快速离化开关(FID)、磁开关、延迟击穿二极管(DBD)等。FID具有独特的结构及工作原理，具有极高的脉冲电流变化速率、高压快脉冲前沿、大功率输出、长寿命、高可靠性、性能稳定等优点。FID脉冲压缩前沿最快可达50ps，单器件工作电压约5kV，脉冲压缩比约数十倍；磁开关的可靠性、电压上升率以及寿命都可以得到保证，可靠性高、寿命长以及无电极侵蚀问题等优点。单器件工作电压可达数十kV，通流能力千安量级。但磁开关脉冲压缩前沿最快几十ns，并且重复频率在几百Hz量级，脉冲压缩比<100；延迟击穿二极管(DBD)是一种利用半导体PN结超快可逆延迟击穿效应而研制，能够将几纳秒的电脉冲上升沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管，其特征在于，包括有由上至下依次设置的上电极(1)、p型外延层(2)、半绝缘层(3)、下p型层(4)及下电极(5)；所述半绝缘层(3)为半绝缘GaAs层或外延本征砷化镓层或外延低温半绝缘砷化镓层。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管，其特征在于，包括有由上至下依次设置的上电极(1)、p型外延层(2)、半绝缘层(3)、下p型层(4)及下电极(5)；所述半绝缘层(3)为半绝缘GaAs层或外延本征砷化镓层或外延低温半绝缘砷化镓层。


2.根据权利要求1所述的一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管，其特征在于，所述上电极(1)为金锗镍欧姆接触电极或银电极或铂金电极。


3.根据权利要求1所述的一种用于高压电脉冲压缩的延迟击穿二极管，其特征在于，所述p型外延层(2)为p+GaAs上外延层，外延厚度为2nm-100um，外延掺杂浓度为1×1014/cm3-9×1020/c...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈光辉，赵岚，汪雅馨，徐鸣，兰春鹏，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61