TFT器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件至少包括衬底、嵌设于衬底内的折射层、位于折射层表面的遮光层、覆盖遮光层的缓冲层以及位于缓冲层表面的有源层；折射层包括阵列分布的反射块，反射块一端嵌设衬底的内部，另一端贴合于遮光层表面，反射块内填充有金属钼，当外界光线照射到反射块表面时，会发生全反射，射出衬底，降低光透率同时增强反射面光反射，提高遮光能力，降低TFT光生漏电流。

【技术实现步骤摘要】
TFT器件及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT器件及其制备方法、阵列基板。
技术介绍
薄膜晶体管阵列基板是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在如LCD显示装置与OLED显示装置中。有源矩阵式薄膜晶体管TFT器件是像素电路的核心器件，由有源层、栅绝缘层、栅电极和源漏极构成。对于TFT器件，最核心起作用的是半导体有源层，目前主流的材料为非晶硅和多晶硅p-Si。其中，低温多晶硅薄膜晶体管LTPS-TFT具有制备温度低，载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。为抑制LTPS-TFT器件在光照条件下产生光生电流，避免TFT自动开启，目前主流的技术手段是在制作LTPS-TFT之前沉积一层钼金属薄膜，通过曝光、显影、蚀刻等工艺将金属薄膜图形化，形成LTPS-TFT沟道遮光层，为保证非金属膜层的台阶覆盖性，遮光层一般只有500～800埃，在强光照射下仍有部分光可以穿过照射到多晶硅上，导致光生漏电流的技术问题。<br>专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT器件，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的遮光层、以及位于所述衬底与所述遮光层之间的折射层。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT器件，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的遮光层、以及位于所述衬底与所述遮光层之间的折射层。


2.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述折射层包括阵列分布的反射块，所述反射块的一侧嵌设于所述衬底的内部，所述反射块的相对另一侧贴合于所述遮光层表面。


3.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述衬底表面形成有具有反射面的凹槽，所述凹槽内填充有金属钼，形成所述反射块。


4.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述反射块的截面形状为等腰三角形，且所述等腰三角形的顶角垂直插入所述衬底的内部，当外界光线照射到该等腰三角形的两腰上时，会发生全反射，将光线导出所述衬底。


5.根据权利要求4所述的TFT器件，其特征在于，所述反射块的垂直高度等于或小于所述遮光层的厚度。


6.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述反射块的截面形状为波浪线或锯齿形。


7.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述遮光层包括第一遮光层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂晓辉，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42