一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法技术

本发明专利技术公开了一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法，该器件结构包括：位于SOI衬底顶层硅中的有源区、体引出区、刻蚀到顶层硅第一深度的部分浅槽隔离区、刻蚀到埋氧层的完全浅槽隔离区、以及位于顶层硅上方的栅极，有源区包括源区、漏区、沟道以及体接触区；部分浅槽隔离区为工型区域且位于有源区的外围，源区、漏区以及沟道位于工型区域的第一开口内，体接触区位于工型区域的第二开口内；体引出区位于部分浅槽隔离区下方，并与沟道下方的体区以及体接触区接触。上述方案中，器件沟道下方的体区能够接触到部分浅槽隔离区下方的体引出区，由于体引出区与体接触区接触，有效的抑制了浮体效应。

【技术实现步骤摘要】
一种体接触SOIMOS器件结构及形成方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种体接触SOIMOS器件结构及形成方法。
技术介绍
SOI(SiliconOnInsulator，绝缘体上硅)，为一种特殊结构的硅材料，SOI技术包含非常丰富的内容，如材料、器件和集成电路制造技术等。由于SOI技术实现了完全介质隔离，因此带来了一系列的优越性：可靠性高、速度快、功耗低、集成密度高等。SOIMOS的物理特性和顶层硅膜厚度密切相关，根据顶层膜厚的不同，SOIMOS器件分为部分耗尽(PartiallyDepleted,PD)SOIMOS和全耗尽(FullDepleted,FD)SOIMOS两种。目前采用较多的是部分耗尽SOIMOS，部分耗尽SOIMOS的有源体区并未完全耗尽，使得体区处于悬空状态，碰撞电离产生的电荷无法迅速移走，这会导致SOIMOS特有的浮体效应，它会引起器件阈值电压漂移、寄生双极晶体管效应、kink效应、饱和区输出电阻降低、漏端电流瞬态变化等问题，不仅会降低器件增益，导致噪声过冲，器件工作不稳定，还会使源漏击穿电压降低，并引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体接触SOI MOS器件结构，其特征在于，包括：/n衬底，位于所述衬底上方的埋氧层，位于所述埋氧层上方顶层硅中的有源区、体引出区、刻蚀到所述顶层硅第一深度的部分浅槽隔离区、刻蚀到所述埋氧层的完全浅槽隔离区、以及位于所述顶层硅上方的栅极，所述有源区包括源区、漏区、沟道以及体接触区；/n所述部分浅槽隔离区为工型区域且位于所述有源区的外围，所述源区、所述漏区以及所述沟道位于所述工型区域的第一开口内，所述体接触区位于所述工型区域的第二开口内；/n所述体引出区位于所述部分浅槽隔离区下方，并与所述沟道下方的体区以及所述体接触区接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种体接触SOIMOS器件结构，其特征在于，包括：
衬底，位于所述衬底上方的埋氧层，位于所述埋氧层上方顶层硅中的有源区、体引出区、刻蚀到所述顶层硅第一深度的部分浅槽隔离区、刻蚀到所述埋氧层的完全浅槽隔离区、以及位于所述顶层硅上方的栅极，所述有源区包括源区、漏区、沟道以及体接触区；
所述部分浅槽隔离区为工型区域且位于所述有源区的外围，所述源区、所述漏区以及所述沟道位于所述工型区域的第一开口内，所述体接触区位于所述工型区域的第二开口内；
所述体引出区位于所述部分浅槽隔离区下方，并与所述沟道下方的体区以及所述体接触区接触。


2.根据权利要求1所述的体接触SOIMOS器件结构，其特征在于，所述栅极呈条形。


3.根据权利要求1所述的体接触SOIMOS器件结构，其特征在于，所述器件结构还包括：
所述完全浅槽隔离区位于所述器件结构中除有源区以及所述部分浅槽隔离区以外的剩余区域。


4.根据权利要求1所述的体接触SOIMOS器件结构，其特征在于，所述部分浅槽隔离区的底层与所述埋氧层之间的距离大于或等于50nm。


5.根据权利要求1所述的体接触SOIMOS器件结构，其特征在于，所述体引出区的杂质掺杂类型与所述沟道的杂质掺杂类型相同。


6.根据权利要求5所述的SOIMOS器件结构，其特征在于，所述体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王家佳，李多力，曾传滨，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11