半导体装置及其制造方法以及包括半导体装置的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极，氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜包括其In的原子个数比大于M（M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的原子个数比的第一区域，第二氧化物半导体膜包括其In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域，第二区域包括薄于第一区域的部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法以及包括半导体装置的显示装置本申请是如下专利技术专利申请的分案申请：专利技术名称：半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置；申请日：2015年7月9日；申请号：201580038493.0。
本专利技术的一个方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置及包括该半导体装置的显示装置。另外，本专利技术的一个方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。尤其是，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置。除了晶体管等半导体元件，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n晶体管，包括：/n栅电极；/n所述栅电极上的栅极绝缘膜；/n所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；/n与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；以及/n与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极，/n其中，所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，/n所述第一氧化物半导体膜包括Sn，/n所述第二氧化物半导体膜包括其In的原子个数比小于所述第一氧化物半导体膜的In的原子个数比的区域，/n并且，所述第二氧化物半导体膜中的与所述源电极或所述漏电极重叠的部分厚于所述第一氧化物半导体膜。/n

【技术特征摘要】
20140715 JP 2014-144659;20150122 JP 2015-0100551.一种半导体装置，包括：
晶体管，包括：
栅电极；
所述栅电极上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；
与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；以及
与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极，
其中，所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，
所述第一氧化物半导体膜包括Sn，
所述第二氧化物半导体膜包括其In的原子个数比小于所述第一氧化物半导体膜的In的原子个数比的区域，
并且，所述第二氧化物半导体膜中的与所述源电极或所述漏电极重叠的部分厚于所述第一氧化物半导体膜。


2.一种半导体装置，包括：
晶体管，包括：
第一栅电极；
所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；
所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；
与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；
与所述氧化物半导体膜电连接的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：肥塚纯一，冈崎健一，黑崎大辅，岛行德，保坂泰靖，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP