一种同质结薄膜晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种同质结薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层，源电极、漏电极和有源层的材料均采用电阻在半导体和导体范围内可调的氧化物材料制得的氧化物薄膜，且由于它们的制备工艺相似，且源电极和漏电极设在有源层上方或被有源层覆盖的设计，进而可避免因采用组成元素不同的材料带来的交叉污染，可降低制作成本；同时，源电极、漏电极与有源层采用相同元素组成的氧化物材料也使得源电极、漏电极与有源层之间属同质结接触，容易形成良好的欧姆接触从而降低接触电阻，有利于制备高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管器件。本实用新型专利技术制得的同质结薄膜晶体管具有优异的电学性能，具有较高的迁移率和稳定性，能满足驱动OLED和LCD发光单元的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种同质结薄膜晶体管
本技术涉及半导体
，具体涉及一种同质结薄膜晶体管。
技术介绍
同质结薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)主要应用于控制和驱动液晶显示器(LCD，LiquidCrystalDisplay)、有机发光二极管(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)显示器的子像素，是平板显示领域中最重要的电子器件之一。新型AMOLED显示技术由于具有高画质、低功耗、轻薄、可柔性化等优点成为当前该领域的新宠。随着技术的进步和人们生活水平的不断提高，平板显示正朝着超高分辨率(8K×4K)方向发展，因此，对作为背板的同质结薄膜晶体管技术提出了更高的要求。同质结薄膜晶体管背板技术作为平板显示的核心技术，传统地，只需要器件Hall迁移率在10cm2V-1s-1左右，即可满足OLED像素的发光驱动需求。然而，随着超高分辨率显示技术的发展，需要同质结薄膜晶体管的器件Hall迁移率达到30cm2V-1s-1及以上才能满足驱动需求；而当前主流的商用化的基于InGaZnO(IGZO)材料体系的同质结薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同质结薄膜晶体管，包括基板和设在基板上的栅电极和栅绝缘层，其特征在于，还包括源电极、漏电极和有源层，所述源电极、漏电极和有源层的材料为电阻在半导体和导体范围内可调的氧化物材料制得的氧化物薄膜，所述源电极和漏电极设在有源层上方或所述源电极和漏电极被有源层覆盖，所述源电极和漏电极之间互不接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种同质结薄膜晶体管，包括基板和设在基板上的栅电极和栅绝缘层，其特征在于，还包括源电极、漏电极和有源层，所述源电极、漏电极和有源层的材料为电阻在半导体和导体范围内可调的氧化物材料制得的氧化物薄膜，所述源电极和漏电极设在有源层上方或所述源电极和漏电极被有源层覆盖，所述源电极和漏电极之间互不接触。


2.根据权利要求1所述的同质结薄膜晶体管，其特征在于，所述同质结薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层、钝化层和像素定义层。


3.根据权利要求1所述的同质结薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和有源层设在基板或栅绝缘层的上表面。


4.根据权利要求1所述的同质结薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物材料选自Zr-In-O、In-Sn-O、In-Zn-O、In2O3、ZnO、Zr-Sn-O、In-Si-...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖鹏，黄俊华，袁健，刘佰全，罗东向，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：新型
国别省市：广东;44