一种常关型器件制造技术

本申请提出一种常关型器件，涉及半导体技术领域。该常关型器件包括衬底；与衬底连接的外延层，其中，外延层包括第一P型氮化物层与改性层，改性层位于第一P型氮化物层的两侧，且改性层由预设区域的第二P型氮化物层改性而成，第一P型氮化物层与第二P型氮化物层同步外延生长而成；与第一P型氮化物层、改性层连接的势垒层；与势垒层连接的栅电极及与改性层连接的源电极与漏电极。由于采用在部分区域进行改性的方式更容易实现，因此能够更加方便的实现仅在部分区域存在有效的P型及所需的器件结构，同时本申请提供的常关型器件还具有阈值电压更高和栅漏电流更低的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种常关型器件
本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种常关型器件。
技术介绍
目前，制作常关型器件的工艺一般都是通过在势垒层上制作P-型氮化物半导体栅电极实现的。由于势垒层的绝缘性能较差，容易导致较大栅电流的出现。同时，栅电极由于势垒层的间隔与沟道的距离也相对较远，不利于获得较高的阈值电压。综上所述，现有技术中存在常关型器件的阈值电压较低和栅漏电流较大的问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种常关型器件，以解决现有技术中存在常关型器件的阈值电压较低和栅漏电流较大的问题。为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种常关型器件，所述常关型器件包括：衬底；与所述衬底连接的外延层，其中，所述外延层包括第一P型氮化物层与改性层，所述改性层位于所述第一P型氮化物层的两侧，且所述改性层由预设区域的第二P型氮化物层改性而成，所述第一P型氮化物层与所述第二P型氮化物层同步外延生长而成；与所述第一P型氮化物层、所述改性层连接的势垒层；与所述势垒层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种常关型器件，其特征在于，所述常关型器件包括：/n衬底；/n与所述衬底连接的外延层，其中，所述外延层包括第一P型氮化物层与改性层，所述改性层位于所述第一P型氮化物层的两侧，且所述改性层由预设区域的第二P型氮化物层改性而成，所述第一P型氮化物层与所述第二P型氮化物层同步外延生长而成；/n与所述第一P型氮化物层、所述改性层连接的势垒层；/n与所述势垒层连接的栅电极及与所述改性层连接的源电极与漏电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种常关型器件，其特征在于，所述常关型器件包括：
衬底；
与所述衬底连接的外延层，其中，所述外延层包括第一P型氮化物层与改性层，所述改性层位于所述第一P型氮化物层的两侧，且所述改性层由预设区域的第二P型氮化物层改性而成，所述第一P型氮化物层与所述第二P型氮化物层同步外延生长而成；
与所述第一P型氮化物层、所述改性层连接的势垒层；
与所述势垒层连接的栅电极及与所述改性层连接的源电极与漏电极。


2.如权利要求1所述的常关型器件，其特征在于，位于源电极区域与源漏电极之间区域的改性层的高度小于所述第一P型氮化物层的高度，且位于所述源电极区域与源漏电极之间区域的改性层由所述第二P型氮化物层局部改性而成，以使所述改性层分别与所述第二P型氮化物层、所述势垒层连接；
所述常关型器件还包括体电极，所述体电极分别与所述第二P型氮化物层、所述源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎子兰，
申请(专利权)人：广东致能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44