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本申请提出一种常关型器件，涉及半导体技术领域。该常关型器件包括衬底；与衬底连接的外延层，其中，外延层包括第一P型氮化物层与改性层，改性层位于第一P型氮化物层的两侧，且改性层由预设区域的第二P型氮化物层改性而成，第一P型氮化物层与第二P型氮化...
该专利属于广东致能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。

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