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本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极，氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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