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本发明公开了一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法，该器件结构包括：位于SOI衬底顶层硅中的有源区、体引出区、刻蚀到顶层硅第一深度的部分浅槽隔离区、刻蚀到埋氧层的完全浅槽隔离区、以及位于顶层硅上方的栅极，有源区包括源区、漏区、沟道以及体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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