薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的薄膜晶体管的上部绝缘层包含：第一边缘区域，其位于栅极电极的第一侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度；以及第二边缘区域，其位于栅极电极的第二侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度，上部绝缘层具有多孔质绝缘体层，多孔质绝缘体层包含有配置于第一边缘区域的第一部分和配置于第二边缘区域的第二部分，多孔质绝缘体层的第一部分与氧化物半导体层的第一区域的至少一部分接触，多孔质绝缘体层的第二部分与氧化物半导体层的第二区域的至少一部分接触。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置
本专利技术是涉及薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置。
技术介绍
有源矩阵基板用于例如液晶显示装置、有机EL(电致发光，ElectroLuminescence)显示装置和微型LED(发光二极管，LightEmittingDiode)显示装置等的显示装置。微型LED显示装置是二维排列有由无机化合物制成的多个发光二极管(LED)的显示装置。在有源矩阵基板的每个像素中，配置有包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,以下称为“TFT”)的电路(称为“像素电路”)。在微型LED显示装置、有机EL显示装置等的电流驱动式显示装置中，例如，与每个像素相对应地配置有发光亮度根据电流而变化的发光元件(LED、有机EL元件等)。提供给每个像素的发光元件的电流由像素电路控制。此外，在有源矩阵基板中，存在单片化地形成驱动电路等的周边电路的情况。TFT也作为周边电路的电路元件而使用。在本说明书中，将用于像素电路的TFT称为“像素电路TFT”，并且将构成周边电路的TFT称为“周边电路TFT”。作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n氧化物半导体层,其由所述基板支承，并包含第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域；/n栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在所述氧化物半导体层的所述沟道区域上；/n源极电极，其与所述氧化物半导体层的所述第一区域电连接；/n漏极电极，其与所述氧化物半导体层的所述第二区域电连接，以及/n上部绝缘层，其覆盖所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极电极；/n所述栅极电极从所述基板的法线方向观察时，与所述氧化物半导体层的所述沟道区域重叠而与所述第一区域和所述第二区域不重叠，/n从所述基板的法线方向观察时，所述栅极电极的侧面具有第...

【技术特征摘要】
20190610 US 62/8594781.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
氧化物半导体层,其由所述基板支承，并包含第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域；
栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在所述氧化物半导体层的所述沟道区域上；
源极电极，其与所述氧化物半导体层的所述第一区域电连接；
漏极电极，其与所述氧化物半导体层的所述第二区域电连接，以及
上部绝缘层，其覆盖所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极电极；
所述栅极电极从所述基板的法线方向观察时，与所述氧化物半导体层的所述沟道区域重叠而与所述第一区域和所述第二区域不重叠，
从所述基板的法线方向观察时，所述栅极电极的侧面具有第一侧面部和第二侧面部，所述第一侧面部位于所述第一区域侧，并且与所述氧化物半导体层重叠，所述第二侧面部位于所述第二区域侧，并且，与所述氧化物半导体层重叠，
所述上部绝缘层包含：
第一边缘区域，从所述基板的法线方向观察时，其位于所述栅极电极的所述第一侧面部的附近，并且，所述第一边缘区域距所述氧化物半导体层的上表面的高度小于所述栅极电极的上表面的高度；以及
第二边缘区域，从所述基板的法线方向观察时，其位于所述栅极电极的所述第二侧面部的附近，并且，所述第二边缘区域距所述氧化物半导体层的上表面的高度小于所述栅极电极的上表面的高度，
所述上部绝缘层具有多孔质绝缘体层，所述多孔质绝缘体层包含有配置于所述第一边缘区域的第一部分和配置于所述第二边缘区域的第二部分，
所述多孔质绝缘体层的所述第一部分与所述氧化物半导体层的所述第一区域的至少一部分接触，所述多孔质绝缘体层的所述第二部分与所述氧化物半导体层的所述第二区域的至少一部分接触。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述栅极绝缘层包含氧化硅层。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述多孔质绝缘体层在频率1MHz下的相对介电常数为3.0以下。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述多孔质绝缘体层的所述第一部分与所述栅极电极的所述第一侧面部接触，
所述多孔质绝缘体层的所述第二部分与所述栅极电极的所述第二侧面部接触。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
从所述基板的法线方向观察时，所述栅极绝缘层的侧面与所述栅极电极的所述侧面对准。


6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述多孔质绝缘体层与所述栅极绝缘层的所述侧面接触。


7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
从所述基板的法线方向观察时，所述栅极绝缘层的侧面位于所述栅极电极的所述侧面的内侧。


8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，
使所述多孔质绝缘体层的至少一部分配置成，在所述栅极电极与所述沟道区域之间与所述栅极绝缘层的所述侧面接触。


9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，
在所述栅极电极与所述沟道区域之间，且在所述栅极绝缘层的所述侧面与所述上部绝缘层之间形成有空隙。


10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述上部绝缘层包含配置在所述多孔质绝缘体层上的非多孔质绝缘体层。


11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，
从所述基板的法线方向观察时，所述上部绝缘层具有：第一绝缘部,其包含所述第一边缘区域和所述第二边缘区域；以及第二绝缘部，其位于所述第一绝缘部的外侧，
所述第一绝缘部包含所述多孔质绝缘体层和所述非多孔质绝缘体层，所述第二绝缘部包含所述非多孔质绝缘体层，但不...

【专利技术属性】
技术研发人员：大田裕之，
申请(专利权)人：堺显示器制品株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP