带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区、位于第二导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体集电极区下表面连接的漏极金属电极；本发明专利技术在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样；在器件进行电压采样时，当漏极电压增大到某一电压时，电压采样感测区的电压开始随着漏极电压的进一步增加而增加，检测电压采样感测区的电压，来反映漏极电压，并通过改变电压采样控制区的电压来改变电压采样的起始点，实现一个可控制的电压采样。

【技术实现步骤摘要】
带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件
本专利技术涉及功率半导体技术，具体涉及一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件。
技术介绍
随着电力电子技术向高压、功率集成电路和系统领域的快速发展，对电路和系统的实时保护成为电力电子领域中非常关键的一环，要实现对电路和系统的实时保护，最重要的是对高压、功率集成电路输入/输出性能和负载工作情况等进行检测。功率半导体器件在实际应用中面临诸多失效情况，如开关瞬态过程中的输入过压以及感性负载下的瞬态电流峰值过冲等，单个模块中器件的损坏将直接影响电路系统的可靠性与稳定性，监测器件工作时稳定性的有效方法是直接测量功率模块中器件的电压和电流并及时反馈。传统采样技术主要是通过外围元器件实现的，如副边反馈采样、电阻分压法、电流镜采样等方法，这些方法都会带来信号采样不可调、采样精度不够、制作成本增加、应用电路体积大等缺点。本专利技术提出一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，其特征在于：该半导体器件包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区(13)、位于第二导电类型半导体集电极区(13)上表面的第二导电类型半导体漂移区(12)、第二导电类型半导体集电极区(13)下表面连接的漏极金属电极(14)；/nMOS单元还包括位于第二导电类型半导体漂移区(12)内部上表面的第一导电类型半导体第一体区(8)；所述第一导电类型半导体第一体区(8)内部上表面具有第一导电类型半导体源极区(6)和第二导电类型半导体源极区(7)；所述第一导电类型半导体源极区(6)和第二导电类...

【技术特征摘要】
1.一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，其特征在于：该半导体器件包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区(13)、位于第二导电类型半导体集电极区(13)上表面的第二导电类型半导体漂移区(12)、第二导电类型半导体集电极区(13)下表面连接的漏极金属电极(14)；
MOS单元还包括位于第二导电类型半导体漂移区(12)内部上表面的第一导电类型半导体第一体区(8)；所述第一导电类型半导体第一体区(8)内部上表面具有第一导电类型半导体源极区(6)和第二导电类型半导体源极区(7)；所述第一导电类型半导体源极区(6)和第二导电类型半导体源极区(7)侧面接触；所述第二导电类型半导体源极区(7)上表面有源极金属电极(1)；所述第二导电类型半导体漂移区(12)内部上表面具有氧化层(3)以及位于氧化层(3)中的栅电极(2)；氧化层(3)与第一导电类型半导体第一体区(8)的侧面接触；
电压感测及控制单元还包括位于第二导电类型半导体漂移区(12)内部上表面的第一导电类型半导体第二体区(10)和第一导电类型半导体区(9)；所述第一导电类型半导体第二体区(10)和第一导电类型半导体区(9)侧面接触；所述第一导电类型半导体第二体区(10)内部上表面具有第二导电类型半导体区(11)；所述第一导电类型半导体区(9)上表面接有第二金属电极(4)；所述第二导电类型半导体区(11)上表面接有第一金属电极(5)。


2.根据权利要求1所述的一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，其特征在于：电压感测及控制单元位...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，林雨乐，杨洋，赵一尚，李陆坪，莫家宁，何云娇，胡汶金，王彤阳，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51